: 李 :

少子壽命測(cè)試儀（WT-2000型）

一、少子壽命測(cè)試儀簡(jiǎn)介:

  從匈牙利Semilab公司引進(jìn)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測(cè)試手段。通過測(cè)量少子壽命，可做出晶體生長(zhǎng)及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命，光誘導(dǎo)電流測(cè)試，無(wú)接觸方塊電阻測(cè)試，渦流場(chǎng)體電阻率測(cè)試，F(xiàn)e元素含量測(cè)試。

二、的主要技術(shù)指標(biāo):

1. 微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)少子壽命:

1.1 壽命測(cè)試范圍：0.1 us – 30 ms  

1.2 測(cè)試分辨率：0.1%  

1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm 

1.4 樣品的電阻率范圍：0.1 – 1000 ΩCM 

1.5 測(cè)試光點(diǎn)直徑：1mm 

1.6 測(cè)試速度：30ms/數(shù)據(jù)點(diǎn)

1.7 zui大測(cè)試點(diǎn)數(shù)：超過360000 

1.8激光源波長(zhǎng)：904nm 

1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns

2. 光誘導(dǎo)電流測(cè)試

2.1 掃描區(qū)域：zui大210 ? 210 mm 

2.2 測(cè)試電流范圍：1 uA – 1mA 

2.3 光源波長(zhǎng)：403，880，950，980 nm 

2.4 選加功能：硅片，電池的上述激光波長(zhǎng)反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描 

2.5 通過兩個(gè)以上的激光器，可以計(jì)算少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度

3. 方塊電阻測(cè)試:

無(wú)接觸方塊電阻測(cè)試功能，以取代傳統(tǒng)的四探針

3.1 可測(cè)試樣品：np or pn structure 

3.2 測(cè)試范圍：10 Ω/sq to 1000Ω/sq 

3.3 測(cè)試分辨率：2% 

3.4 掃描分辨率：10mm 

3.5 測(cè)試精度：< 3% 

3.6 測(cè)試重復(fù)性：< 1%

4. 體電阻率掃描：渦流場(chǎng)測(cè)試，無(wú)接觸，無(wú)損傷測(cè)試

4.1 測(cè)試范圍：0.5 – 20 ΩCM      

4.2 測(cè)試精度： 3-6 %  

4.3 測(cè)試重復(fù)性： 2%            

4.4 探頭直徑：5 mm

5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3