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日立分析儀器(上海)有限公司

化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>分析儀器>光譜>其它光譜儀>JEA系列 紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

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JEA系列 紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

參考價 200
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 西安立鼎光電科技有限公司
  • 品牌
  • 型號 JEA系列
  • 產(chǎn)地 德國
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2016/8/24 17:27:45
  • 訪問次數(shù) 2930
產(chǎn)品標(biāo)簽

IFW紫外探測器碳化硅SiC

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       西安立鼎光電科技有限公司是一家專業(yè)從事短波紅外成像系統(tǒng)及光電測試裝備的研發(fā)生產(chǎn)、系統(tǒng)集成、銷售服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統(tǒng)產(chǎn)品的完整解決方案。

       近年來,公司研制的短波紅外成像系統(tǒng)在激光光斑檢測、半導(dǎo)體檢測、激光通信、光譜成像、激光切割、生物醫(yī)療、天文觀測、安防、星敏感器、激光制導(dǎo)、反偵聽、激光測振等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

       多年來,根據(jù)用戶需求定制的多款光電測試裝備,為用戶產(chǎn)品的性能指標(biāo)保證發(fā)揮了重要作用,得到了客戶的高度認可。




全波段光電探測器(0.2-26um),短波紅外相機(0.9-1.7um),紅外 熱像儀,微光夜視儀,成像機芯(0.9-1.7um/3-5um/8-14um),EMCCD/SCMOS相機, 光功率計/能量計,光譜分析儀,光纖滑環(huán),激光器,激光測距機

紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

一、JEA系列單獨封裝探測器:

 

1、JEA系列SiC探測(可選擇耐高溫至150℃)

Detector Model Number

Active area

(mm2)

Spectral range

(nm)

Reverse voltage

(V)

Peak wavelength     (nm)

Spectral responsivity

(A/W)

Dark current

(fA)

Capacitance

(pF)

Fieldof view (FOV) degree

Typ

Max

JEA0.1

JEA0.1I

TO39/ TO39i

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-40

JEA0.1S

JEA0.1ISZ

TO18/ TO18i

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-27

JEA0.1SS

JEA0.1ISSZ

(TO52/ TO52i

0.365*0.365

210-355

20

265

0.16

0.18

10

30

+/-40

JEA0.25

JEA0.25I

TO39/ TO39i

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-45

JEA0.25S

JEA0.25ISZ

TO18/ TO18i

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-35

JEA0.25SS

JEA0.25ISSZ

TO52/ TO52i

0. 55*0. 55

205-355

10

265

0.16

0.18

10

75

+/-40

JEA2

JEA2I

(TO-39/ TO39i)

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-45

JEA2S

JEA2ISZ

(TO-18/ TO18i )

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-35

JEA2SS

JEA2ISSZ

(TO-52/ TO52i )

1,415x1,415

215-355

20

265

0.13

0.15

200

400

+/-40

JEA5

 (TO-39 )

Ø 2,525

215-360

20

270

0.14

0.16

500

1000

/

JQC 5

(TO-39)

4×*1.25

(<0.2mm)

215-360

20

270

0.14

/

100

250

/

注:以上探測器的工作溫度是-45℃至100儲存溫度是-40℃至100℃,焊接溫度是260℃。

 

紫外碳化硅SiC光電探測器(190nm-400nm)

二、JEA系列帶濾光片的SiC探測器:

 

Detector Model Number

Active area

(mm2)

Spectral range

(nm)

Reverse voltage

(V)

Peak wavelength (nm)

Spectral responsivity

(A/W)

 

Typ

Dark current

(fA)

Capacita-nce

(pF)

Height of package H

mm

Fieldof view (FOV) degree

JEA0.1C

(TO5)

 

 

0,365x0,365

225-280

10

265

0.18

 

 

10

 

 

30

4.5

+/-45

JEA0,1BC (TO5)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA 0.1B

(TO5)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

JEA 0.1C-S

(TO18)

 

 

0,365x0,365

220-280

265

0.18

 

 

10

 

 

30

 

5.2

+/-25

JEA0,1BC-S(TO18)

228-322

275

0.19

+/-25

JEA 0.1B-S

(TO18)

265-322

300

0.12

+/-25

JEA1C

(TO)

 

 

1*1

225-280

265

0.18

 

 

10

 

 

30

4.5

 

+/-45

JEA1BC

(TO)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA1B

(TO)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

JEA2C

(TO)

 

 

 

1.415*1.415

225-280

265

0.18

200

400

4.5

 

+/-45

JEA2BC

(TO)

228-322

275

0.19

4.5

+/-45

JEA2B

(TO)

265-322

300

0.12

6.8

+/-45

 

注:以下探測器的工作溫度是-25℃至70℃,儲存溫度是-40℃至100℃,焊接溫度是260℃。

注:反向電壓是20V。

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