使用溫度 | 1100℃ | 極限真空度 | 1Pa |
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射頻電源功率 | 300W | 爐管直徑 | 100mm |
溫區(qū) | 1~3溫區(qū) |
維意真空等離子增強化學氣相沉積鍍膜設備
該系列PECVD系統(tǒng)具有固態(tài)等離子源、分開式反應氣體進氣系統(tǒng),動態(tài)襯底溫控,全面控制真空系統(tǒng),采用集中現(xiàn)場控制總線技術的“值守精靈”控制軟件,以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1400℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積,同時可實現(xiàn)TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料,尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
*** PE-CVD結構特點介紹:
1、PECVD系列真空管式高溫燒結爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體;
2、爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用進口高溫合金電阻絲為加熱元件;
3、高純石英管橫穿于爐體中間作為的爐膛,爐管兩端用不銹鋼法蘭密封,工件式樣在管中加熱,加熱元件
與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場的均勻性;
4、測溫采用性能穩(wěn)定,長壽命的“K”型熱電偶,以提高控溫的精準性;
5、它是專為高等院校﹑科研院所及工礦企業(yè)對金屬,非金屬及其它化和物材料在氣氛或真空狀態(tài)下進行燒
結﹑融化﹑分析而研制的設備;
6、MPECVD系列真空管式爐能夠快速開啟,快速升降溫,方便客戶對特殊材料的裝載,燒制和觀察;
7、爐體的控制面板配有觸摸屏,控制電源開關,配有電源和保險指示燈,以便隨時觀察本系統(tǒng)的工作狀態(tài)。
維意真空等離子增強化學氣相沉積鍍膜設備