LFZ-2KW 新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐
- 公司名稱 QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) LFZ-2KW
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/4/18 11:06:54
- 訪問次數(shù) 2236
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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儀器種類 | 箱式爐 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,冶金 |
新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ
Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進(jìn)設(shè)計(jì)理念,新代高性能激光浮區(qū)爐(型號(hào):LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向個(gè)全新的高度!
應(yīng)用域 可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。 |
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激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢(shì):
● 采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻
● 更加科學(xué)的激光光斑化方案,有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力
● 采用了*的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)
RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物
新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):
加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
激光功率 | 2KW | |
熔區(qū)溫度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
溫度穩(wěn)定性 | +/-1℃ | |
晶體生長控制 | 晶體生長設(shè)計(jì)長度可達(dá) | 150mm* |
晶體生長設(shè)計(jì)直徑可達(dá) | 8mm* | |
晶體生長速度/轉(zhuǎn)速可達(dá) | 300mm/hr; 100rpm | |
樣品腔可施加壓力可達(dá) | 10bar | |
樣品腔氣氛 | 多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配 | |
晶體生長監(jiān)控 | 高清攝像頭 | |
晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件
應(yīng)用案例
采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例:
Ruby
| Dy2Ti2O7
| BaTiO3
|
Sr2RuO4
| SmB6
|
Ba2Co2Fe12O22
| Y3Fe5O12
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* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學(xué)
日本國立材料研究所