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IMC210 等離子 中束流離子注入機(jī)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) IMC210
  • 產(chǎn)地 法國
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/9/25 12:51:44
  • 訪問次數(shù) 2762

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公司自成立以來就一直專注于半導(dǎo)體、微組裝和電子裝配等領(lǐng)域的設(shè)備集成和技術(shù)服務(wù);目前公司擁有一支在半導(dǎo)體制造、微組裝及電子裝配等領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),專業(yè)服務(wù)于混合電路、光電模塊、MEMS、先進(jìn)封裝(TSV、Fan-out等)、化合物半導(dǎo)體、微波器件、功率器件、紅外探測(cè)、聲波器件、集成電路、分立器件、微納等領(lǐng)域。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設(shè)備,還能根據(jù)客戶的實(shí)際生產(chǎn)需求制訂可行的工藝技術(shù)方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等),為向客戶提供先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)服務(wù)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

 

半導(dǎo)體設(shè)備,微組裝設(shè)備,LTCC設(shè)備,化工檢測(cè)設(shè)備

等離子 中束流離子注入機(jī)產(chǎn)品介紹:

離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級(jí)透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子,決定要注入離子的種類和束流強(qiáng)度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子,當(dāng)外來電子的能量高于原子的電離電位時(shí),通過碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外,還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子,再經(jīng)過加速器獲得較高能量,由四級(jí)透鏡聚焦后進(jìn)入靶室,進(jìn)行離子注入。

離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備,離子注入是對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對(duì)注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行精確的控制,克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命,降低了成本和功耗。離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝,可以滿足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求,已成為集成電路制造工藝中*的關(guān)鍵裝備。

 

等離子 中束流離子注入機(jī)特點(diǎn):

?精確控制離子束流

?精確控制加速電壓

?占地小, 操作簡(jiǎn)單, 運(yùn)行成本低

?特別適合于研發(fā)應(yīng)用

?適用于4”~6”晶片,小可用于1*1cm2樣品(室溫)

?4”熱注入模式,高溫度可達(dá)600度

?2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源,可使溫度達(dá)750度

?1個(gè)Bernas離子源

?非凡的鋁注入能力

?一個(gè)主氣箱,配有4個(gè)活性氣體管路;一個(gè)副氣箱,配有4個(gè)中性氣體管路

?高價(jià)樣品注入能力

?注入角0~15度

?IBS*的矢量掃描系統(tǒng)

?手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入,自動(dòng)25片cassette 裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室

?遠(yuǎn)程操作控制接觸屏(5米鏈接線纜)

?輻射低于0.6usv/hour

工藝性能

?2~210keV

?束流:4”晶片100keV時(shí),大于900uA (As, P), 大于450uA (B)

?劑量范圍:1*1011*1018~at/cm2

?片內(nèi)非均勻性:1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅,注B,100kev,1*1014at/cm2

?片間均勻性:1s ≤ 1 %

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