TCN-2ω 納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)
- 公司名稱 QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易（北京）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) TCN-2ω
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/4/18 11:39:42
- 訪問(wèn)次數(shù) 2571
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 熱線法 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,電子,交通,冶金,綜合 |
納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)-TCN-2ω
薄膜材料的熱導(dǎo)率評(píng)價(jià)將變得為簡(jiǎn)便
日本Advance Riko公司推出的納米薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)是使用2ω方法測(cè)量納米薄膜厚度方向熱導(dǎo)率的商用系統(tǒng)。與其他方法相比，樣品制備和測(cè)量為簡(jiǎn)單。
點(diǎn)：
1. 在納米尺度衡量薄膜的熱導(dǎo)率
開(kāi)發(fā)出監(jiān)測(cè)周期加熱過(guò)程中熱反射帶來(lái)的金屬薄膜表面溫度變化的方法。從而通過(guò)厚度方向上的維熱導(dǎo)模型計(jì)算出樣品表面的溫度變化，為簡(jiǎn)便的衡量厚度方向上熱導(dǎo)率。（日本li：5426115）
2. 樣品制備簡(jiǎn)單
不需要光刻技術(shù)即可將金屬薄膜（1.7mm×15mm×100nm）沉積在薄膜樣品上。
應(yīng)用方向
1. 熱設(shè)計(jì)用薄膜熱導(dǎo)率評(píng)價(jià)的選擇。
low-k薄膜，有機(jī)薄膜，熱電材料薄膜
2. 可用于評(píng)價(jià)熱電轉(zhuǎn)換薄膜
測(cè)量原理
當(dāng) 使用頻率為f的電流周期加熱金屬薄膜時(shí)，熱流的頻率將為電流頻率的2倍（2f）。如果樣品由金屬薄膜（0）-樣品薄膜（1）-基體（s）組成（如圖），可由維熱導(dǎo)模型計(jì)算出金屬薄膜上表面的溫度變化T(0)。
假設(shè)熱量全部傳導(dǎo)到基體，則T(0)可由下式計(jì)算：
（λ/Wm-1K-1，C/JK-1m-3，q/Wm-3，d/m，ω（=2πf）/s-1）
式中實(shí)部（同相振幅）包含樣品薄膜的信息。如熱量全部傳導(dǎo)到基體，則同相振幅正比于(2 ω)0.5，薄膜的熱導(dǎo)率（λ1）可由下式給出：
（m：斜率，n：截距）
設(shè)備參數(shù)
1. 測(cè)試溫度：室溫
2. 樣品尺寸：長(zhǎng)10～20mm，寬10mm
厚0.3～1mm（含基體）
3. 基體材料：Si（推薦）
Ge，Al2O3（高熱導(dǎo)率）
4. 樣品制備：樣品薄膜上需沉積金屬薄膜（100nm）
（推薦：金）
5. 薄膜熱導(dǎo)率測(cè)量范圍：0.1～10W/mK
6. 測(cè)試氛圍：大氣
設(shè)備概念圖
樣品準(zhǔn)備
測(cè)試數(shù)據(jù)
Si基底上的SiO2薄膜（20-100nm）測(cè)量結(jié)果
| d1 / nm | 19.9 | 51.0 | 96.8 |
| λ1/ W m-1 K-1 | 0.82 | 1.03 | 1.20 |
發(fā)表文章
1. K. Mitarai et al. / J. Appl. Phys. 128, 015102 (2020)
2. M. Yoshiizumi et al. / Trans. Mat. Res. Soc. Japan 38[4] 555-559 (2013)
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