PICOSUN ALD R-300 PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版
- 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 PICOSUN ALD R-300
- 產地 芬蘭
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2024/9/25 13:47:37
- 訪問次數 1620
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| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 50萬-100萬 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,電子/電池,航空航天 |
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版
（PICOSUN™ ALD P-300 Advanced）
名稱：原子層沉積系統 產地：芬蘭
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版
Picosun簡介
Picosun是yi家公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產設施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計，并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應性強其客戶包括 大的電子制造商，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有*的內置可擴展性，可確保將研究結果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當您想與設備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引ling行業(yè)發(fā)展時，Picosun是您的合作伙伴。
PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現的均勻性，包括具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個獨立的，*分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列*的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統。由于研發(fā)型與生產型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破創(chuàng)新的技術轉化到生產中，就會吸引到企業(yè)投資。
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版
PICOSUN®R-300高級
Picosun™ 300mm生產線上的產品是300mm以下晶圓的自動化、高產量的工業(yè)ALD加工設備。包括PICOSUN™ P系列Pro和Advanced ALD設備。該工具可以獨立工作，也可以集成到PICOPLATFORM™300真空集群系統以達到更高的產量和自動化水平。為了節(jié)約昂貴的設施空間，所有PICOSUN™的ALD系統有著緊湊、高效的設計。集成的專業(yè)機柜，裝載著前驅體和電子元件，保證了快速簡便的維護和短的停機時間。PICOSUN™ P系列工具保證了大產能以及節(jié)約成本的情況下得到的ALD工藝質量，并履行嚴格的現代半導體產業(yè)的生產力和安全要求。
工藝咨詢和開發(fā)，產能提升，維護保養(yǎng)流程和系統及工藝的故障排除，我們客戶化定制的PICOSUPPORT™綜合解決方案24小時快速響應，隨時待命。在購買之前，我們的演示服務保證了設備可以100%滿足客戶苛刻的產線需求。
技術指標
襯底尺寸和類型 | 156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背） |
高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背） | |
大批量的3D產品（例如：鐘表部件，珠寶，硬幣，醫(yī)療植入部件，機械部件等） | |
粉末與顆粒 | |
Roll-to-roll, 襯底大寬 300 mm | |
多孔，通孔，與高深寬比（HAR）樣品 | |
工藝溫度 | 50-500℃ |
基片傳送選件 | 氣動升降（手動裝載） |
半自動裝載，用線性裝載器實現 | |
全自動轉載，用工業(yè)機器人實現 | |
前驅體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 |
前驅源余量傳感器，并提供清洗和裝源服務 | |
4根獨立源管線，多加載6個前驅體源 | |
重量 | 400 + 300 kg |
尺寸 (W x H x D) | 149 cm x 191 cm x 111 cm |
選件 | PICOFLOW™ 擴散增強器，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，與工廠軟件連接服務。 |
驗收標準 | 標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
應用領域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm（6“和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版
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