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EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡(jiǎn)稱(chēng)岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經(jīng)驗(yàn)的高科技設(shè)備分銷(xiāo)商,主要為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、半導(dǎo)體、光通訊、高校及研發(fā)中心提供各類(lèi)測(cè)量設(shè)備、工序設(shè)備以及相應(yīng)的技術(shù)支持,并與一些重要的客戶(hù)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。自1989年創(chuàng)立至今,岱美的產(chǎn)品以及各類(lèi)服務(wù)、解決方案廣泛地運(yùn)用于中國(guó)香港,中國(guó)大陸(上海、東莞、北京),中國(guó)臺(tái)灣,泰國(guó),菲律賓,馬來(lái)西亞,越南及新加坡等地區(qū)。


岱美在中國(guó)大陸地區(qū)主要銷(xiāo)售或提供技術(shù)支持的產(chǎn)品:

晶圓鍵合機(jī)、納米壓印設(shè)備、紫外光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、硅片清洗機(jī)、超薄晶圓處理設(shè)備、光學(xué)三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測(cè)、非接觸式光學(xué)三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x、薄膜厚度檢測(cè)儀、主動(dòng)及被動(dòng)式防震臺(tái)系統(tǒng)、應(yīng)力檢測(cè)儀、電容式位移傳感器、定心儀等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,請(qǐng)聯(lián)系我們,了解我們?nèi)绾伍_(kāi)始與您之間的合作,實(shí)現(xiàn)您的企業(yè)或者組織機(jī)構(gòu)長(zhǎng)期發(fā)展的目標(biāo)。




膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機(jī),EVG光刻機(jī),HERZ隔震臺(tái),Microsense電容式位移傳感器

產(chǎn)地類(lèi)別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 化工
  EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng),可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
  一、簡(jiǎn)介
  EVG光刻機(jī)EVG610支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿(mǎn)足不斷變化的用戶(hù)需求,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶(hù)概念適合初學(xué)者到專(zhuān)家級(jí)各個(gè)階層用戶(hù),非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。
  EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)
  二、EVG光刻機(jī)應(yīng)用
  MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。
  三、EVG光刻機(jī)特征
  晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
  頂部和底部對(duì)準(zhǔn)功能
  高精度對(duì)準(zhǔn)
  自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列
  電動(dòng)的和程序控制的曝光間隙
  支持新的UV-LED技術(shù)
  小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
  分步流程指引
  遠(yuǎn)程技術(shù)支持
  多用戶(hù)概念(無(wú)限數(shù)量的用戶(hù)帳戶(hù)和程序,可分配的訪(fǎng)問(wèn)權(quán)限,不同語(yǔ)言)
  敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工
  臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面
  附加功能:
  鍵合對(duì)準(zhǔn)
  紅外對(duì)準(zhǔn)
  納米壓印光刻(NIL)
  四、技術(shù)參數(shù)
  1.掩模版-基板-晶圓尺寸
  掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
  基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
  晶圓厚度:高達(dá)10mm
  2.對(duì)準(zhǔn)模式
  頂部對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 0,5 µm
  底部對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 2,0 µm
  紅外對(duì)準(zhǔn)模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
  3.頂部顯微鏡
  移動(dòng)范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
  移動(dòng)范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
  移動(dòng)范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡,可以增加對(duì)比度
  4.底部顯微鏡
  移動(dòng)范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動(dòng)范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動(dòng)范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡,可以增加對(duì)比度
  5.曝光器件
  (1)波長(zhǎng)范圍:
  NUV:350 - 450 nm
  DUV:低至200 nm (可選)
  (2)光源:
  汞燈350W , 500W UV LED燈
  (3)均勻性:
  150mm:≤ 3%
  200mm:≤ 4%
  (4)濾光片:
  汞燈:機(jī)械式
  UV LED:軟件可調(diào)
  6.曝光模式
  接觸:硬、軟接觸,真空
  曝光間隙:1 - 1000 µm
  線(xiàn)寬精度:1µm
  模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
  可選:內(nèi)部,浸入,扇形
  7.可選功能
  鍵合對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
  8.設(shè)施
  真空:< 150 mbar
  壓縮氣體:6 bar
  氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar
  排氣要求:汞燈需要;LED不需要
  9.系統(tǒng)方式
  系統(tǒng):windows
  文件分享和軟件備份
  無(wú)限程序儲(chǔ)存,參數(shù)儲(chǔ)存在程序內(nèi)
  支持多語(yǔ)言,含中文
  實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持,診斷和排除故障
  10.楔形補(bǔ)償
  全自動(dòng)- 軟件控制
  11.規(guī)格
  占地面積:0.55m2
  高度:1.01m
  重量:約250kg
  納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
  支持工藝:Soft UV-NIL




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