一、技術(shù)條件

1.1、功能范圍：

可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量進(jìn)行測(cè)試。

1.2、環(huán)境要求

1、環(huán)境溫度：15—40℃

2、相對(duì)濕度：存放濕度不大于70%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

5、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

6、電源功率：20KW

7、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9

8、氣源要求：≥0.6Mpa

9、無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害。

二、概述

EN-1230A分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試的設(shè)備，通過使用更換不同的測(cè)試工裝可以對(duì)不同封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行非破壞性瞬態(tài)測(cè)試，通過軟件切換可以對(duì)不同器件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試?？捎糜诳旎謴?fù)二極管、IGBT、MOSFET的測(cè)試。測(cè)試原理符合國軍標(biāo)，系統(tǒng)集成度高，性能穩(wěn)定，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃芎土己玫娜藱C(jī)交互。

該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成：

•  開關(guān)特性測(cè)試單元
•  反向恢復(fù)測(cè)試單元
•  柵極電荷測(cè)試單元
•  安全工作區(qū)測(cè)試系統(tǒng)
•  結(jié)電容測(cè)試單元
•  柵極內(nèi)阻測(cè)試單元
•  雪崩耐量測(cè)試單元
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