美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國(guó)bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類(lèi)器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類(lèi)器官的電信號(hào)。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評(píng)估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測(cè)試和組織工程。
大腦類(lèi)器官使用人體細(xì)胞來(lái)復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動(dòng)物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類(lèi)器官電信號(hào)的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類(lèi)器官表面積的一小部分，而B(niǎo)M的 3D 微電極陣列大限度地與類(lèi)器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號(hào)。

3D 微電極陣列為球形類(lèi)器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

Electrophysiology Module電生理模塊

功能

細(xì)胞電刺激、電生理活動(dòng)記錄、阻抗測(cè)量，系統(tǒng)擁有完整的環(huán)境控制功能，能夠長(zhǎng)期、實(shí)時(shí)、非侵襲性地開(kāi)展電生理實(shí)驗(yàn)工作，能夠便捷、高通量地測(cè)量活細(xì)胞的電網(wǎng)絡(luò)行為，探索生命的電路圖。

背景：

電活性細(xì)胞如神經(jīng)元和心臟細(xì)胞的活性揭示了基本的生理和病理生理功能。盡管單個(gè)神經(jīng)元、突觸和離子通道在電或化學(xué)刺激下表現(xiàn)出長(zhǎng)期變化的特性，但人們認(rèn)為只有許多細(xì)胞的共同努力才能構(gòu)成人類(lèi)通常所經(jīng)歷的自我意識(shí)。特別是，更高級(jí)的大腦功能，如聯(lián)想學(xué)習(xí)、記憶獲取和檢索以及模式和語(yǔ)音識(shí)別，依賴于許多在空間和時(shí)間上同步動(dòng)作的神經(jīng)元。此外，病理生理狀況，如癲癇、阿爾茨海默病或其他心理精神障礙，已被證明依賴于許多神經(jīng)元來(lái)形成后一種狀態(tài)