偷偷告訴您美國(guó)TI電源芯片有*

   TI的電源管理芯片是缺貨漲價(jià)最嚴(yán)重的產(chǎn)品之一，但是我們東莞市廣聯(lián)公司現(xiàn)貨美國(guó)TI（Texas Instruments）品牌渠道好，直接從國(guó)外拿貨，TPS系列、TLV系列、BQ系列、UCC系列芯片價(jià)格好，貨期短，直接自己公司報(bào)關(guān)，幫您省去很多煩腦！東莞廣聯(lián)公司優(yōu)勢(shì)供應(yīng)美國(guó)TI芯片MSP430G2202，MSP430G2x32、MSP430G2

下面廣聯(lián)公司為您分享的一款是用于穩(wěn)壓器上面的芯片，價(jià)格美麗，廣聯(lián)承諾銷售的TI芯片都是！

在這芯片緊缺時(shí)代，我們做到了保證貨期準(zhǔn)時(shí)，*，服務(wù)好，品質(zhì)優(yōu)的宗旨！

制造商：TI（德州儀器）出廠封裝：30-TSSOP功能類別：專用型穩(wěn)壓器芯片

    TI德州儀器公司完整型號(hào)：TPS51020DBTG4

制造廠家名稱：Texas Instruments（簡(jiǎn)稱TI）

描述：IC DUAL DC/DC SYNC CTRLR 30TSSOP

系列：-

應(yīng)用：控制器，DDR

電壓 - 輸入：4.5 V ~ 28 V

輸出數(shù)：2

電壓 - 輸出：0.9 V ~ 24 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：30-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：30-TSSOP

TI 工廠自 1996 年以來便已獲得國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 質(zhì)量管理體系 (ISO 9001) 和環(huán)境管理體系 (ISO 14001) 認(rèn)證，體現(xiàn)了公司致力于實(shí)現(xiàn)最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的承諾。我們的大多數(shù)工廠還通過了 ISO/IATF 16949 認(rèn)證，從而滿足專門用于確保*汽車行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量的 ISO/IATF 16949 國(guó)際質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)。此外，所有 TI 制造工廠均已取得關(guān)于職業(yè)安全與健康的 ISO 45001 認(rèn)證。

TI 有關(guān)這些標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證的鏈接如下：

ISO 9001

TI 自 2004 年以來就參與了 ISO 9001 認(rèn)證。下面是由 Bureau Veritas 頒發(fā)的證書： 

德州儀器 (TI) 公司 ISO 9001：2015 認(rèn)證 - 包括所有工廠。  

溫度循環(huán)

根據(jù) JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn)，溫度循環(huán) (TC) 讓部件經(jīng)受高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換。進(jìn)行該測(cè)試時(shí)，將部件反復(fù)暴露于這些條件下經(jīng)過預(yù)定的循環(huán)次數(shù)。

高溫工作壽命 (HTOL)

HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測(cè)試通常根據(jù) JESD22-A108 標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行。

溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 (BHAST)

根據(jù) JESD22-A110 標(biāo)準(zhǔn)，THB 和 BHAST 讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時(shí)處于偏壓之下，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同，但 BHAST 條件和測(cè)試過程讓可靠性團(tuán)隊(duì)的測(cè)試速度比 THB 快得多。

熱壓器/無偏壓 HAST

熱壓器和無偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣，它用于加速腐蝕。不過，與這些測(cè)試不同，不會(huì)對(duì)部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長(zhǎng)期可靠性。與 HTOL 不同，器件在測(cè)試期間不處于運(yùn)行條件下。

靜電放電 (ESD)

靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個(gè)表面獲得電子，而另一個(gè)表面失去電子。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí)，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動(dòng)。

當(dāng)靜電荷移動(dòng)時(shí)，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結(jié)。

JEDEC 通過兩種方式測(cè)試 ESD：

1.人體放電模型 (HBM)

一種組件級(jí)應(yīng)力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。

HBM

2.帶電器件模型 (CDM)

一種組件級(jí)應(yīng)力，根據(jù) JEDEC JESD22-C101 規(guī)范，模擬生產(chǎn)設(shè)備和過程中的充電和放電事件。

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