化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>集成電路測試與分選設(shè)備>芯片分選機(jī)>MB96345YWAPMC-GSE2 FUJITSU富士通芯片存儲器服務(wù)與體驗(yàn)
MB96345YWAPMC-GSE2 FUJITSU富士通芯片存儲器服務(wù)與體驗(yàn)
- 公司名稱 上海菱聯(lián)自動(dòng)化控制技術(shù)有限公司
- 品牌 FUJITSU/富士通
- 型號 MB96345YWAPMC-GSE2
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/11/23 21:02:41
- 訪問次數(shù) 931
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上海菱聯(lián)自動(dòng)化控制技術(shù)有限公司是一家專注于工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品銷售及其工程設(shè)計(jì)的科技企業(yè)，公司下設(shè)技術(shù)研發(fā)部，市場銷售部，商務(wù)物流部，財(cái)務(wù)部等專職部門，公司專業(yè)經(jīng)營伺服電機(jī)、運(yùn)動(dòng)控制器、變頻器、PLC、傳感器、觸摸屏、減速機(jī)、電磁閥、編碼器、小馬達(dá)、張力糾偏控制等產(chǎn)品，因良好的技術(shù)支持和服務(wù)，在華東地區(qū)取得了較大的度。
| 品牌 | FUJITSU | 型號 | MB96345YWAPMC-GSE2 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地 | 日本 | 庫存數(shù)量 | 108825片 |
| 單位 | 片 | 發(fā)貨方法 | 快遞 |
| 參數(shù) | 詳見說明書 | 工作環(huán)境溫度范圍 | -40°C至+125°C |
FUJITSU富士通芯片存儲器服務(wù)與體驗(yàn)MB96345YWAPMC-GSE2 我們的優(yōu)勢：存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，
人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。目前，
新型存儲器主要有4種：相變存儲器（PCM），鐵電存儲器（FeRAM），磁性存儲器（MRAM）和阻變存儲器（ReRAM）。
其中，F(xiàn)eRAM是一種理想的存儲器，在計(jì)算機(jī)、航天航空、軍工等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，世界上許多大的半導(dǎo)體公司對此都十分重視。
代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工
作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。本產(chǎn)品具有高速運(yùn)算和非易失性的特點(diǎn)，
非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業(yè)計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
20 多年來，富士通半導(dǎo)體已量產(chǎn)的 FeRAM 產(chǎn)品，與 EEPROM 和閃存相比，具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。到目前為止，這些高可靠性產(chǎn)品已成功應(yīng)用于工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)和汽車領(lǐng)域。
FUJITSU富士通芯片存儲器服務(wù)與體驗(yàn)MB96345YWAPMC-GSE2 提供各產(chǎn)品信息服務(wù):此外，一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲器的同時(shí)進(jìn)行快速數(shù)據(jù)傳輸。我們很高興能夠通過 Quad SPI 4Mbit FeRAM 產(chǎn)品滿足這一要求。
MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓，在108MHz工作頻率下數(shù)據(jù)傳輸速率為54MB/s。在此產(chǎn)品發(fā)布之前，
具有 16 個(gè) I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM，具有 13MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度。然而，MB85RQ4ML
只有四個(gè) I/O 管腳，讀寫數(shù)據(jù)大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3)。 其封裝為 16pin SOP，封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。
數(shù)據(jù)傳輸率比較
如果您在產(chǎn)品中使用閃存、EEPROM 或低功耗 SRAM，并且遇到以下任何問題，請考慮使用富士通半導(dǎo)體的 FeRAM 解決方案。
狀態(tài)：使用閃存 問題：由于寫入耐久性較低，軟件開發(fā)負(fù)擔(dān)較大
閃存保證幾十萬次的寫周期。如果數(shù)據(jù)被多次寫入內(nèi)存中的同一區(qū)域，該區(qū)域很快就會達(dá)到保證寫入周期時(shí)間的上限。
因此，設(shè)計(jì)工程師必須開發(fā)一種名為“wear leveling”的軟件來分配內(nèi)存區(qū)域中的寫入位置，以使數(shù)據(jù)不會多次寫入同一位置。
軟件開發(fā)的工作量對設(shè)計(jì)工程師來說是一個(gè)非常大的負(fù)擔(dān)。而 FeRAM 保證 10 萬億次讀/寫周期，并且數(shù)據(jù)可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內(nèi)存區(qū)域。
這些功能有助于設(shè)計(jì)工程師，因?yàn)楣こ處煵恍枰_發(fā)復(fù)雜的數(shù)據(jù)寫入軟件，例如磨損均衡
磨損均衡示意圖
狀態(tài)：使用 EEPROM 問題：數(shù)據(jù)寫入時(shí)間較長
EEPROM 即使是 8 位數(shù)據(jù)寫入也有 5ms 的寫入周期時(shí)間，因?yàn)樗藢懭氩僮髦膺€包括擦除操作。另一方面，F(xiàn)eRAM 具有較短的寫入時(shí)間，例如在 8 位數(shù)據(jù)寫入時(shí)為數(shù)百納秒，因?yàn)樗恍枰脸僮鳎▓D5）。此外，帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數(shù)據(jù)傳輸率。而富士通半導(dǎo)體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s，是 EEPROM 的 20 倍以上。
寫入時(shí)間比較
狀態(tài)：使用 SRAM 問題：難以取出電池并減少組件安裝面積
低功耗 SRAM 需要電池來保存數(shù)據(jù)以保存寫入的數(shù)據(jù)，但由于非易失性存儲器，F(xiàn)eRAM 不需要電池。然后，由于 SRAM 有 16 個(gè) I/O 引腳，許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝，具有 4 個(gè) I/O 引腳。這意味著，如果您將 SRAM 替換為 FeRAM，您可以通過移除電池并使用更小的封裝來減少 77% 的內(nèi)存安裝面積
MB96345YSAPMC-GSE2
CY91F465PAPMC-GS-UJE2
MB96345YSAPQC-GSE2
MB96345YWAPMC-GSE2
MB96345YWAPQC-GSE2
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