1. 產(chǎn)品概述

提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。百科：深硅刻蝕系統(tǒng)的原理既包括利用等離子體中的活性粒子進(jìn)行物理和化學(xué)作用的等離子體刻蝕技術(shù)，也包括通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除材料的濕法刻蝕技術(shù)。

2. 設(shè)備特點(diǎn)

光滑側(cè)壁工藝；

高刻蝕速率腔刻蝕;

高深寬比工藝;

錐形通孔刻蝕;

機(jī)械或靜電壓盤,加熱內(nèi)襯;

延長(zhǎng)了兩次清洗間的平均時(shí)間間隔（MTBC）環(huán)形激光陀螺反射鏡;

X射線光學(xué)系統(tǒng);

紅外（IR）傳感器;

II-VI族材料，通信濾波器。