應(yīng)用領(lǐng)域 |
電子,電氣,綜合 |
二手x-ray檢測(cè)設(shè)備回收利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來檢測(cè)電子元器件、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)構(gòu)造品質(zhì)、以及SMT各類型焊點(diǎn)焊接質(zhì)量等。
1、集成電路的封裝工藝檢測(cè):層剝離、開裂、空洞和打線工藝;
2、印刷電路板制造工藝檢測(cè):焊線偏移,橋接,開路;
3、表面貼裝工藝焊接性檢測(cè):焊點(diǎn)空洞的檢測(cè)和測(cè)量;
4、連接線路檢查:開路,短路,異?;虿涣歼B接的缺陷;
5、錫球數(shù)組封裝及覆芯片封裝中錫球的完整性檢驗(yàn);
6、高密度的塑料材質(zhì)破裂或金屬材質(zhì)檢驗(yàn);
7、芯片尺寸量測(cè),打線線弧量測(cè),組件吃錫面積比例量測(cè)。
二手x-ray檢測(cè)設(shè)備回收能量—電荷系數(shù)
X射線在介質(zhì)物質(zhì)中平均得到的電荷(N)與損耗的能量(E)的比值,被我們稱為能量—電荷轉(zhuǎn)換系數(shù)。由于能量—電荷轉(zhuǎn)換具有統(tǒng)計(jì)性,所以一般表示為平均值。
能量分辨率
X射線探測(cè)器中最為重要的系統(tǒng)參數(shù)便是能量分辨率,能量分辨率反映了探測(cè)器對(duì)不同類型的入射粒子的能量分辨能力。能量分辨率越小,則表示探測(cè)器可區(qū)分更小的能量差別。通常我們將能量分辨率分為絕對(duì)、相對(duì)分辨率兩種類型。以能量高斯分布的半高寬(FWHM)來表示的被稱為絕對(duì)分辨率;而相對(duì)分辨率則是使用絕對(duì)分辨率與峰位的比值來表示。
探測(cè)器的能量分辨率受諸多因素的影響,如:探測(cè)器的有效探測(cè)面積、探測(cè)元器件類型、甑別和計(jì)數(shù)器能力、后續(xù)處理電路時(shí)間常數(shù)等。在此時(shí)間常數(shù)通常指脈沖處理器所耗費(fèi)時(shí)間,也就是是射線從進(jìn)入探測(cè)器后,其測(cè)量并處理能量所需時(shí)長。探測(cè)器分辨率與其時(shí)間常數(shù)、面積、分析效率幾者之間有著明晰的關(guān)聯(lián),即:面積大小與分辨率高低成反比;當(dāng)面積不變時(shí),時(shí)間常數(shù)與光子測(cè)量準(zhǔn)確度同時(shí)增加時(shí),其分辨效果越好[5]。由此不難看出,時(shí)間常數(shù)是影響分析效率與能量分辨率的重要因素,然而兩者卻無法同一,因此從儀器實(shí)用層面出發(fā),必須讓分辨率與靈敏度兼顧。
輸出穩(wěn)定性
探測(cè)器能量—電荷轉(zhuǎn)換系數(shù)對(duì)于環(huán)境溫度t和供電電源電壓V等相關(guān)條件的敏感性常被稱作其輸出穩(wěn)定性。
探測(cè)效率
探測(cè)效率多被定義為記錄到的脈沖數(shù)與入射X射線光量子數(shù)的比值。由于X射線和物質(zhì)的作用并不是連續(xù)進(jìn)行的,同時(shí)X射線光量子與物質(zhì)作用產(chǎn)生磷光或電離也并非絕對(duì),因此X射線探測(cè)器探測(cè)效率不會(huì)大于1。一般我們按照探測(cè)效率的不同特性將其分為兩類:絕對(duì)效率和本征效率。X射線總?cè)肷涔饬孔訑?shù)與輻射源發(fā)射的量子數(shù)的比值稱為絕對(duì)效率。通常由于探測(cè)器的感應(yīng)區(qū)相對(duì)于輻射發(fā)射光量子只是一個(gè)很小的范圍,而輻射源是均勻光發(fā)射,這樣一來探測(cè)器可以接收到有限的輻射光子,所以絕對(duì)探測(cè)效值率既受到探測(cè)器本生特性的影響,也和探測(cè)器系統(tǒng)的外觀設(shè)計(jì)有關(guān)。本征效率是指系統(tǒng)所記錄到的脈沖個(gè)數(shù)同入射到探測(cè)器感應(yīng)區(qū)的光量子數(shù)之比。