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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>組裝與封裝設備>芯片開封機>ZG SOI芯片光電探測器集成度高

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ZG SOI芯片光電探測器集成度高

參考價 9999
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號 ZG
  • 產(chǎn)地 經(jīng)開區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/12/27 19:43:41
  • 訪問次數(shù) 971

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四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設備和光通訊芯片的研發(fā)、設計、生產(chǎn)及銷售;是一家擁有自主研發(fā)能力及規(guī)模性量產(chǎn)能力的光通信高新技術企業(yè)。
    梓冠光電自成立以來,持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術人才,其中博士占比人數(shù)5.7%,本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開關、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體激光器及光路保護設備(OXC)等產(chǎn)品,公司還為激光雷達系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關、光衰減器系列為核心技術的量產(chǎn)產(chǎn)品,產(chǎn)品技術獲得多項認證,其中發(fā)明6項,外觀,軟著,實用性等共16項。
公司擁有超150多家客戶,已與華為、中航、中電、中物院、高校及航天等企業(yè)、單位達成長期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作;公司先后獲得“科技型中小企業(yè)” ,“國家高新技術企業(yè)” ,“綿陽市文明青年號”,“2016年度誠信創(chuàng)業(yè)青年,“軍民融合企業(yè)”,“2019年度知識產(chǎn)權(quán)工作優(yōu)秀單位”等榮譽稱號。
   四川梓冠光電科技有限公司堅持科技創(chuàng)新為原則,一直將創(chuàng)新貫穿于企業(yè)的核心價值當中,公司強調(diào)和諧的企業(yè)創(chuàng)新氛圍,為每一位員工提供一個廣闊的發(fā)展平臺;在企業(yè)內(nèi)部管理上十分重視團隊精神,以團隊的共同創(chuàng)造能力推進企業(yè)的各項發(fā)展,更加系統(tǒng)化、專業(yè)化,給客戶持續(xù)提供優(yōu)質(zhì)和全面的服務,使梓冠光通信的產(chǎn)品處在行業(yè)







延遲線、光開關、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準直器、激光準直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復用器(CWDM/DWDM)等

SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。


〖性能指標Specifications



參數(shù)指標

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗電流

Dark current

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數(shù)

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)






                 光電探測器集成度高

SOI芯片光電探測器集成度高

SOI芯片光電探測器集成度高




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