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III-V族外延晶片

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深圳市唯銳科技有限公司是一家國家高新技術企業(yè)、專精特新創(chuàng)新型企業(yè),也是國內出色的光電產品和解決方案供應商。我們的團隊具有多年的光電行業(yè)工作經驗,長期為高等院校、科研院所、航天軍工以及企業(yè)客戶,提供優(yōu)質的產品和解決方案,促進國內光電產業(yè)的升級和國際化。

唯銳科技一直關注光電前沿技術,提供的產品和服務涵蓋: 光源(DFB/FP/ICL/QCL激光器、超輻射發(fā)光二極管SLD、中紅外LED、可見光-紫外激光二極管、飛秒激光器);探測器(碲鎘汞MCT/InAs/nAsSb探測器、InGaAs探測器、InAs/lnAsSb II型超晶格探測器、平衡探測器);量子技術(單光子探測器、計數(shù)模塊、MOT磁光阱控制模塊);光纖和探頭(高溫鍍銅鍍金光纖、中紅外光纖、光纖探頭);模塊、系統(tǒng)及整機(激光驅動、溫控模塊、TDLAS系統(tǒng)、FTIR光譜儀、放射性碳分析儀C14-SCAR);III-V族外延晶圓(VCSEL晶圓、InGaAs晶圓、QCL晶圓)。產品主要應用于:高靈敏度激光氣體分析、紅外探測、光纖光譜、醫(yī)療健康、超快光譜、量子技術、激光加工、航天軍工、科學研究等領域。

 

 

nanoplus激光器,DFB激光器,ICL激光器,QCL激光器,VIGO碲鎘汞探測器,InAsSb探測器,單光子探測器,單光子計數(shù)卡,金屬涂層高溫光纖,中紅外光纖,空芯光纖,透反射探頭,熒光探頭,環(huán)形光探頭,III-V族外延晶圓,ARCoptix傅里葉紅外光譜儀

供貨周期 兩周 應用領域 環(huán)保,化工

III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年,擁有一支超過30年紅外探測器研究經驗的資深專家隊伍,是MCT/InAs/InAsSb探測器的設計者和制造商,提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。

產品介紹

VIGO的ENT外延部門生產III-V(GaAs-,InP-)相關的半導體化合物,在外延方面有35年的經驗,并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務。VIGO利用MOCVD外延技術制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導體的原子工程外延層,具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產系統(tǒng),擁有水平層流反應器,進行基片載流子的多次旋轉產品。這條新產品線擴展了VIGO公司的產品組合,為各種微電子和光子應用提供外延服務,下游的應用包含三極管,二極管,激光器,探測器等。具有以下特點:

  • 外延納米技術,超越單一技術解決方案

  • 大規(guī)模生產或小批量制造,提供多類優(yōu)質外延片

  • 生產的高級III-V族化合物半導體外延結構,被廣泛運用于光子設備(F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器)、微電子設備(二極管、晶體管)

  • 聚焦無線、電信、傳感或打印領域的高度創(chuàng)新型產品,可提供全面的研發(fā)服務。

III-V族外延晶片主要特點

  • 超高純度

  • 精確控制厚度在±1nm

  • 優(yōu)秀的均勻性

  • 重現(xiàn)性

  • 可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸

產品性能

XRD曲線:

產品純度一致性:

表面粗糙度:

量子井:

產品應用

半導體類型:

  • 場效應晶體管,被動器件,高遷移率晶體管

  • EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

  • LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

  • InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR

外延晶圓類型:

  • GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

  • InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

 

GAAS BASED PRODUCTS INP BASED PRODUCTS
AlGaAs/GaAs QW edge emitting lasers

 

VCSELs

FETs, HEMTs, Schottky diodes

varactors

InGaAsP/InP strained or matched QW edge emitting
lasers and SOAs 1300 – 1600nm
GaAsP/GaAs strained QW edge emitting lasers InGaAs/InP QW edge emitting lasers
InGaAsP/GaAs QW lasers 808nm InGaAsP/InP VCSEL structures
InGaAs/AlGaAs/GaAs strained QW lasers InAlGaAs/InP edge emitting and VCSEL structures
InAs/GaAs QD lasers InGaAsP/InP passive devices
AlGaAs/GaAs passive waveguides InGaAs photodetectors
Manufactured to specification InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Manufactured to specification

 

 

 



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