CMP清洗研磨設備技術專用超聲波流量計

一、化學機械拋光（CMP）基本概念：

CMP，即化學機械拋光，是一種通過化學和機械相結合的方式對硅片表面進行精確研磨和拋光的技術。正是這一技術的硬件基礎，它能夠實現(xiàn)硅片表面的全局平坦化，為后續(xù)的工藝提供良好的基礎。CMP設備是半導體制造領域的關鍵工藝設備。

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1、CMP 設備基本情況

1）CMP主要主要過程

CMP過程包括三個主要步驟：拋光、清洗和傳送。拋光過程中，拋光液中的化學成分與晶圓表面材料發(fā)生反應，形成一層可被機械移除的薄膜，隨后拋光墊通過機械作用去除這層薄膜，從而實現(xiàn)表面的平滑。

2）CMP設備的主要類型

CMP設備根據應用端需求可分為8英寸、12英寸以及6/8英寸兼容設備。

3）CMP設備的主要應用領域

主要用于半導體制造領域，且半導體產業(yè)鏈可分為晶圓材料制造、半導體設計、半導體制造、封裝測試四大環(huán)節(jié)。除半導體設計環(huán)節(jié)外，其他領域均有 CMP 設備應用：

①晶圓材料制造環(huán)節(jié)：在拋光環(huán)節(jié)需要應用 CMP 設備得到平整的晶圓材料。