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化工儀器網(wǎng)>產品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>濕法工藝設備>化學機械拋光機(CMP)>TPC-2110 全自動CMP拋光機

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TPC-2110 全自動CMP拋光機

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拋光

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業(yè)。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

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1.  產品概述:

CMP拋光機,全稱為化學機械拋光機,是一種針對薄膜(如介質層)進行拋光處理的設備。它結合了化學刻蝕和機械摩擦的綜合作用,通過精確控制拋光過程中的化學和機械參數(shù),實現(xiàn)對晶圓表面材料的精細去除和平坦化處理。CMP拋光機具有操作便捷、兼容性強等特點,能夠根據(jù)不同尺寸和類型的晶圓進行適配,并通過更換拋光壓頭等方式實現(xiàn)多種拋光工藝的需求。

2.  設備用途/原理:

CMP拋光機在半導體制造中扮演著至關重要的角色,其主要用途包括:

1. 晶圓表面平坦化:在集成電路制造過程中,CMP拋光機用于對晶圓表面進行平坦化處理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圓表面的平整度。這對于后續(xù)工藝步驟的順利進行和芯片性能的提升至關重要。

2. 薄膜厚度控制:CMP拋光機能夠精確控制晶圓表面薄膜的厚度,確保薄膜厚度達到設計要求。這對于提高芯片的性能和可靠性具有重要意義。

3. 特殊材料加工:除了集成電路制造外,CMP拋光機還廣泛應用于3D封裝技術、特殊材料加工等領域。例如,在3D封裝技術中,CMP拋光機用于處理芯片之間的連接面,以確保連接的精確性和可靠性。

3.  設備特點

CMP拋光機具有以下幾個顯著特點:

1  高精度控制:CMP拋光機采用先進的控制系統(tǒng)和精密的機械結構,能夠實現(xiàn)對拋光過程中各項參數(shù)的精確控制。這包括拋光壓力、拋光盤轉速、拋光頭轉速等關鍵參數(shù),從而確保拋光效果的穩(wěn)定性和一致性。

2 多工藝兼容:CMP拋光機具有較強的兼容性,能夠根據(jù)不同材料和工藝的需求進行適配。通過更換拋光壓頭、調整拋光液配方等方式,CMP拋光機可以實現(xiàn)對多種材料和工藝的拋光處理。

3 自動化程度高:現(xiàn)代CMP拋光機通常配備有自動化上下片系統(tǒng)、自動清洗系統(tǒng)等輔助設備,能夠實現(xiàn)拋光過程的自動化操作。這不僅提高了生產效率,還降低了人工操作帶來的誤差和風險。

4 環(huán)保節(jié)能:CMP拋光機在設計和制造過程中注重環(huán)保和節(jié)能。例如,采用低能耗的電機和傳動系統(tǒng)、優(yōu)化拋光液配方以減少廢液排放等措施,都有助于降低設備運行過程中的能耗和環(huán)境污染。

綜上所述,CMP拋光機作為半導體制造領域的重要設備之一,具有高精度控制、多工藝兼容、自動化程度高和環(huán)保節(jié)能等特點。隨著半導體技術的不斷發(fā)展和進步,CMP拋光機也將不斷升級和完善,為半導體制造行業(yè)的發(fā)展提供更加有力的支持。
 4. 設備參數(shù)

規(guī)格/參數(shù)

TPC-2110

晶圓尺寸

兼容6/8英寸

加工形式

全自動干進干出

拋光盤數(shù)量

1

拋光盤轉速

0-200 RPM

拋光頭轉速

0-200RPM

Wafer氣囊壓力

0-700 g/cm2

分區(qū)加壓

8英寸5區(qū),6英寸3區(qū)

保持環(huán)壓力

0-700 g/cm2

修整器

擺臂式金剛石修整器

清洗工位

3個:2個刷洗+1個兆聲&干燥

研磨大速率(Sio2

200nm/min

研磨后晶圓表面粗糙度(Sio2)

Ra≤0.5nm(監(jiān)測區(qū)域 面積≥5umx5um)

Sio2研磨去除速率

片間非均勻性≤5%

Sio2研磨去除速率

片內非均勻性≤5%(去邊5EE,同一直徑從左到右 9 )





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