等離子沉積設(shè)備
- 公司名稱(chēng) 北京瑞科中儀科技有限公司
- 品牌 SENTECH
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/10/10 8:54:11
- 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 134
聯(lián)系方式:汪先生18210898984 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
顯微鏡,激光共聚焦,電鏡,x射線(xiàn),激光捕獲顯微切割,熒光成像系統(tǒng),DNA/RNA合成儀,半導(dǎo)體行業(yè)儀器設(shè)備,生命科學(xué)儀器,光刻機(jī),
價(jià)格區(qū)間 | 100萬(wàn)-200萬(wàn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合 |
---|
等離子沉積設(shè)備
高密度等離子體
SI 500 D具有優(yōu)異的等離子體特性,如高密度,低離子能量和低壓等離子沉積介質(zhì)膜。
平行板ICP等離子體源
SENTECH*的平行板三螺旋天線(xiàn)(PTSA)ICP等離子體源實(shí)現(xiàn)了低功率耦合。
優(yōu)異的沉積性能
低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。
動(dòng)態(tài)溫度控制
動(dòng)態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極,以及襯底背面溫度傳感在從室溫到+350°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)異穩(wěn)定工藝條件。
SI 500 D了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的前沿技術(shù),如介質(zhì)膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等離子體源、獨(dú)立的反應(yīng)氣體進(jìn)氣口、動(dòng)態(tài)溫度控制襯底電極、全自動(dòng)控制的真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)的SENTECH控制軟件,以及操作SI 500 D的用戶(hù)友好的通用用戶(hù)界面。
SI 500 D等離子沉積設(shè)備可以加工各種各樣的襯底,從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件,并實(shí)現(xiàn)在不同工藝之間的便捷切換。
SI 500 D等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通過(guò)液態(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體,SI 500 D可以為T(mén)EOS, SiC,和其它材料的沉積提供解決方案。SI 500 D特別適用于在低溫下在有機(jī)材料上沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無(wú)損傷地沉積鈍化膜。
SENTECH提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度,從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或六個(gè)工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 D也可用作多腔系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊。