1. 產(chǎn)品概述

WaferStorm平臺是先進封裝、MEMS、射頻、數(shù)據(jù)存儲和光子學(xué)市場中許多關(guān)鍵溶劑型工藝的行業(yè)選擇。有 2 個版本——手動加載 （ML） 和 3300 系列平臺。ML系統(tǒng)非常適合研發(fā)和試驗環(huán)境。3300 系列平臺是該行業(yè)的大批量主力軍。

3300 系列架構(gòu)非常靈活，因為根據(jù)吞吐量要求，用戶每個系統(tǒng)多可以有 8 個腔室。此外，該系統(tǒng)能夠處理多種晶圓尺寸和晶圓類型，只需進行少的硬件修改。后，工藝室可以垂直堆疊，從而實現(xiàn)小的系統(tǒng)占地面積。

2. 系統(tǒng)架構(gòu)

大容量平臺 – 3300 系列

1 – 10 腔室模塊化系統(tǒng)

占地面積小 - 堆疊腔室

機上化學(xué)品供應(yīng)

多種晶圓尺寸 - 50 至 300mm

多種襯底類型 – Si、LiTaO3、藍寶石、玻璃

用于研發(fā)的手動裝載平臺 – ML

單腔 - 手動負載

3. 溶劑應(yīng)用

金屬升空

金屬剝離 （MLO） 是化合物半導(dǎo)體和射頻市場中的關(guān)鍵過程，在化合物半導(dǎo)體和射頻市場中，金屬在不損壞底層基板的情況下無法輕松蝕刻。采用ImmJET技術(shù)的WaferStorm系統(tǒng)是全球金屬升降的導(dǎo)者。ImmJET技術(shù)是批量浸泡和單晶圓噴涂加工的結(jié)合。浸泡步驟使用加熱的溶劑進行攪拌。通過浸泡軟化后，晶圓被轉(zhuǎn)移到單晶圓噴涂站，在那里它們暴露在帶有加熱溶劑的高壓風(fēng)扇噴涂中，以快速去除厚膜殘留物。這種組合確保了工藝性能，同時與濕式工作臺和單晶圓解決方案相比，保持了低的CoO。

4. 光刻膠/干膜條

采用 ImmJET 技術(shù)的 WaferStorm 系統(tǒng)為光刻膠條和干膜條應(yīng)用提供了工藝性能和較低的擁有成本。特別是，當(dāng)光刻膠較厚且難以去除時，浸泡和高壓噴涂相結(jié)合可確保材料去除。此外，有的過濾技術(shù)可實現(xiàn)低停機時間和高生產(chǎn)率。

5. 助焊劑清潔

在先進封裝中，助焊劑清潔對于晶圓凸塊和接頭形成過程都至關(guān)重要，因為它可以去除焊接材料留下的氧化層和其他雜質(zhì)，從而確保下一個組裝步驟的金屬界面干凈。液體助焊劑被輸送到凸起的表面，必須使用額外的清潔步驟來去除留下的殘留物。隨著凸塊間距變得越來越細，去除助焊劑殘留物變得越來越具有挑戰(zhàn)性。Veeco 在 WaferStorm 平臺上有的浸泡和噴涂技術(shù)特別適用于從狹窄的間距中去除助焊劑殘留物。

6. 洗滌

Veeco PSP 的單面和雙面單晶圓清洗技術(shù)可為許多應(yīng)用實現(xiàn)高效顆粒去除。Veeco 獲得利的雙面 PVA 刷系統(tǒng)可清潔頂部、底部和側(cè)面。此外，還提供額外的單面 PVA 刷刷擦洗技術(shù)以及高速噴涂 （HVS） 和 Megasonics，可在所有尺寸的晶圓上獲得有效的清潔效果。

7. TSV 清潔

TSV 清潔是一個關(guān)鍵的工藝步驟，對可靠性至關(guān)重要。深度反應(yīng)離子蝕刻 （DRIE） 工藝會留下聚合物殘留物，從而導(dǎo)致隨后的屏障、晶種和填充步驟中出現(xiàn)缺陷和空隙。采用 ImmJET 技術(shù)的 WaferStorm 依靠浸入式和高壓噴涂工藝的順序組合來去除高縱橫比孔中的殘留物，這些殘留物是僅使用工作臺或僅噴涂工具濕式工具留下的。