1. POLI-762概述：

GNP POLI-762是高通用性12英寸(300mm) CMP工藝而開發(fā)，也為先進晶圓制造商和耗材供應商設計的。

規(guī)格：機頭，工作臺:30 200 rpm，旋轉(zhuǎn)運動，機頭振蕩(±15mm)。尺寸:1580W * 1480D * 1960H mm。壓板尺寸:Φ 762毫米(30英寸)，特氟龍涂層鋁。壓制方式:可變空氣壓力電子控制器。膜型:70~ 350g /cm2 (1psi ~ 5psi)用于12"晶圓片。工藝:自動順序，干/濕。

可增添選項：墊式調(diào)理方法:擺頭式或擺臂式、單頭或雙頭系統(tǒng)、摩擦力和溫度監(jiān)測系統(tǒng)、自動上下料系統(tǒng)、應用程序、工件:大12英寸晶圓片、CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金屬CMP(W、Cu)、STI、PGI等。

2. POLI-500概述：

GNP POLI-500廣泛用于耗材供應商，襯底制造商和芯片開發(fā)商的8"(200mm)高研發(fā)評估。

規(guī)格：機頭，工作臺:30 200rpm，旋轉(zhuǎn)運動，機頭振蕩(±15mm)。尺寸:1200W* 1160D * 1960H mm。壓板尺寸:508毫米(20英寸)，陽氧化鋁(可選:特氟龍涂層)。壓制方式:可變空氣壓力電子控制器。膜型:70~ 500g /cm2 (1psi ~ 7.1 psi)。工藝:自動順序，干/濕。 

可增添選項：墊式調(diào)理方法:擺頭式或擺臂式雙頭系統(tǒng)、摩擦力和溫度監(jiān)測系統(tǒng)。

應用程序工件:大8英寸晶圓片，MEMS結(jié)構(gòu)，貼片CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金屬CMP(W、Cu)、STI、PGI等

3. POLI-400L概述：

GNP POLI-400L是為先進的CMP工藝開發(fā)應用，如MEMS, as以及CMP特性研究。該系統(tǒng)擁有成本低，占地面積小。

規(guī)格：機頭，工作臺:30- 200rpm，旋轉(zhuǎn)運動，機頭振蕩(±15mm)。尺寸:970W * 1010D * 1850H mm。壓板尺寸:Ф 406毫米(16英寸)，陽氧化鋁(可選:特氟龍涂層)。壓制方式:可變空氣壓力電子控制器。膜型:70~ 500g /cm2 (1psi ~ 7psi)適用于4"，6"硅片。工藝:自動順序，干/濕。

選項墊式調(diào)理方法:擺頭式或擺臂式雙頭系統(tǒng)、摩擦力和溫度監(jiān)測系統(tǒng)。

應用程序工件:大6英寸晶圓片，MEMS結(jié)構(gòu)，貼片CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金屬CMP(W、Cu)、STI、PGI等。