1.產(chǎn)品概述：

PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機(jī)臺(tái)針對(duì)Bosch循環(huán)工藝方式采用專(zhuān)業(yè)先進(jìn)的快速響應(yīng)硬件配置及軟件流程控制，結(jié)合先進(jìn)的工藝技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺(tái)，滿(mǎn)足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。

2.設(shè)備應(yīng)用：

晶圓尺寸

8/12 英寸兼容

適用材料

硅、氧化硅、氮化硅

適用工藝

2.5D&3D TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕

適用領(lǐng)域

集成電路、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體、圖像傳感器、微機(jī)電系統(tǒng)

3.特色優(yōu)點(diǎn)：

刻蝕方式：采用快速氣體和射頻切換控制系統(tǒng)結(jié)合的方式，能夠在高深寬比深硅刻蝕中精準(zhǔn)控制側(cè)壁形貌，實(shí)現(xiàn)側(cè)壁無(wú)損傷和線寬無(wú)損傷，且刻蝕均勻性、選擇比更佳 135。

結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：每腔單片設(shè)計(jì)，具有更好的氣流場(chǎng)均勻性和真圓度工藝表現(xiàn)，可確保半導(dǎo)體器件制造工藝的質(zhì)量和穩(wěn)定性更優(yōu)。并且機(jī)臺(tái)可同時(shí)配置 6 個(gè)腔室，產(chǎn)能和性能表現(xiàn)優(yōu)異 15。

晶圓邊緣保護(hù)：通過(guò)優(yōu)化機(jī)臺(tái)晶圓邊緣保護(hù)裝置，有效提高了產(chǎn)品良率，其效果優(yōu)于當(dāng)前行業(yè)產(chǎn)品指標(biāo) 。

工藝應(yīng)用：全面應(yīng)用于國(guó)內(nèi)各大 12 英寸主流 fab 廠，不僅是 TSV 量產(chǎn)生產(chǎn)線主力機(jī)臺(tái)，還擴(kuò)展至功率器件、CIS 等領(lǐng)域。例如，在 TSV 工藝中表現(xiàn)出色；在 2.5D 工藝中，可提供能滿(mǎn)足 BVR（背面通孔暴露）和 BFR（背面平整暴露）不同工藝需求的刻蝕工藝解決方案。

 4.設(shè)備特點(diǎn)

兼容Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋

優(yōu)化的進(jìn)氣系統(tǒng)和ESC系統(tǒng)，提高均勻性

快速進(jìn)氣系統(tǒng)，確?？涛g速率高，Scallop小

實(shí)現(xiàn)高深寬比的形貌控制