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氧化鎵電阻率方阻測試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術的非接觸式半導體檢測分析設備制造商。公司集研發(fā)、設計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術,替代進口產(chǎn)品,使半導體材料測試設備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借*的技術和豐富的產(chǎn)品設計經(jīng)驗申請各項知識產(chǎn)權20余項,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內外主流半導體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器,

Ga2O3 有五種同分異構體:α,β,γ,δ,ε,其中是β-異構體,當加熱至1000℃以上或水熱條件(即濕法)加熱至300℃以上時,所有其他的異構體都被轉換為β-異構體??刹捎酶髯圆煌姆椒ㄖ频酶鞣N純的異構體。
金屬鎵在空氣中加熱至420~440℃;焙燒硝酸鹽使之分解或加熱氫氧化鎵至500℃等都可制得α-Ga2O3。
快速加熱氫氧化物凝膠至400~500℃可值得γ-Ga2O3,γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石結構。
在250℃加熱硝酸鎵然后在約200℃浸潰12小時,可制得δ-Ga2O3,它類似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3C-結構。
在550℃短暫加熱(約30分鐘)δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。
將硝酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽或其他鎵的化合物以及Ga2O3的任意其他異構體加熱至1000℃以上均可分解或轉化為β-Ga2O3





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