化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>光刻及涂膠顯影設(shè)備>無(wú)掩模光刻機(jī)/直寫光刻機(jī)>ABN-MLM-001 無(wú)掩膜光刻機(jī)
ABN-MLM-001 無(wú)掩膜光刻機(jī)
- 公司名稱 艾博納微納米科技(江蘇)有限責(zé)任公司
- 品牌 ABNER/艾博納
- 型號(hào) ABN-MLM-001
- 產(chǎn)地 淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園枚皋路7號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/11/13 17:09:20
- 訪問次數(shù) 90
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產(chǎn)品名稱:無(wú)掩膜光刻機(jī)
產(chǎn)品型號(hào):ABN-MLM-001
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)利用計(jì)算機(jī)生成的數(shù)字掩膜圖形,并通過(guò)聲光調(diào)制器(AOM)輸出,經(jīng)過(guò)聲光掃描器和反射鏡將光束引導(dǎo)至光學(xué)投影系統(tǒng)。系統(tǒng)將高精度、強(qiáng)度可調(diào)的激光束投射到晶圓或掩膜模板的表面,實(shí)現(xiàn)對(duì)抗蝕材料的可變劑量曝光。激光束根據(jù)預(yù)設(shè)的設(shè)計(jì)圖形直接對(duì)基片表面進(jìn)行曝光,顯影后在抗蝕層上形成所需的圖案。這種技術(shù)無(wú)需傳統(tǒng)的物理掩膜,因此大大縮短了制作周期,同時(shí)降低了設(shè)計(jì)和生產(chǎn)成本。尤其是在快速迭代設(shè)計(jì)的場(chǎng)景中,顯現(xiàn)出極大的靈活性和效率。通過(guò)計(jì)算機(jī)控制,可以實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)別的精確加工,適用于微納米結(jié)構(gòu)制造。
無(wú)掩膜光刻技術(shù)廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
· 大規(guī)模集成電路(IC)掩膜版制作:實(shí)現(xiàn)高精度、快速迭代的掩模版設(shè)計(jì)與制作。
· 微納加工:適用于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))元件的精密圖形寫入。
· LED產(chǎn)業(yè):在高精度LED芯片設(shè)計(jì)與制造中具有重要作用。
· 生物芯片:用于生物芯片中微結(jié)構(gòu)的快速成像與制備。
相較于傳統(tǒng)掩膜光刻技術(shù),無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)具有更高的靈活性、更短的開發(fā)周期以及更低的運(yùn)營(yíng)成本,使其成為現(xiàn)代微納制造中的重要工具之一。
設(shè)備技術(shù)指標(biāo):
•工作波長(zhǎng):405 nm
• 激光功率:最大300mW
• 分辨率:0.3 μm
• 對(duì)準(zhǔn)精度:正面0.1μm(1mm圖形范圍內(nèi)),背面1um(2.5寸)
• 掃描速度:3-150 mm2/min
• 樣品尺寸:最大 8英寸
• 具有灰度曝光功能