二手FIB+雙束FIB+場發(fā)射電鏡應(yīng)用范圍+領(lǐng)域+分析要領(lǐng)

1. FEI Helios400/450：FEI Helios NanoLab 400S是一款能夠進(jìn)行高級成像和樣品制備的雙束系統(tǒng)，它結(jié)合了場發(fā)射掃描電子顯微鏡和聚焦離子束

   系統(tǒng)適用于固體材料的多種先進(jìn)成像和制備技術(shù)，包括無需破真空的TEM樣品制備（正常和背面銑削）、STEM成像在薄TEM樣品上、針制備用于斷層掃描、平面視圖制備以及在加熱芯片上制備用于TEM退火實(shí)驗(yàn)的薄片。
   

   
   

   2. FEI FEI Strata400：FEI Strata 400是一款DualBeam™系統(tǒng)，用于高分辨率、高對比度成像和樣品制備。它集成了場發(fā)射掃描電子顯微鏡柱和聚焦離子束柱，具備完整的原位樣品制備能力，能夠制備TEM樣品而不破真空。適用于有機(jī)、無機(jī)和新型材料，這些材料不適合傳統(tǒng)的SEM和TEM樣品制備方法。
   
   3. Quanta600F：FEI Quanta 600 FEG是一款場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡，具備高真空模式、低真空模式和環(huán)境真空模式下的分辨率，以及高加速電壓和最大束流等特性。它主要用于固體樣品表面形貌分析以及半定量元素分析。
   
   4. FEI FIB200：FEI FIB 200-M使用Magnum離子柱，該離子柱的銑削能力是早期預(yù)透鏡FIB柱的兩倍。這款FIB用于電路編輯（正面和背面）、缺陷和失效分析、TEM薄片制備、納米制造、納米原型制作和MEMS。

   
   

2. 

二手FIB+雙束FIB+場發(fā)射電鏡 FIB雙束掃描電鏡參數(shù)：

發(fā)射源：高穩(wěn)定型肖特基場發(fā)射電子槍

分辨率：
☆工作距離下1.4nm（1keV）

電子束參數(shù)：
☆探針電流范圍：1pA – 400nA
☆加速電壓范圍：200V ~ 30kV
☆著陸電壓范圍：20eV ~ 30keV
☆導(dǎo)航蒙太奇功能，可額外增大視場寬度

離子光學(xué)：
大束流Sidewinder離子鏡筒
加速電壓范圍：500v-30kv
離子束流范圍：1.5pA-65nA
15孔光闌
不導(dǎo)電樣品漂移抑制模式
離子源壽命至少1000h
離子束分辨率30kv下3.0nm

樣品室：
☆電子束和離子束重合點(diǎn)在分析工作距離處（SEM7mm）
☆端口：21個(gè)
☆內(nèi)寬：379mm

樣品臺：靈活五軸電動(dòng)樣品臺
☆XY范圍：110mm
☆Z范圍：65mm
☆旋轉(zhuǎn)：360° 連續(xù)
☆傾斜：-15°到+90°
☆大樣品尺寸，直徑110mm，可沿X、Y軸*旋轉(zhuǎn)時(shí)
☆大樣品高度，與優(yōu)中心點(diǎn)間隔為85mm
☆大樣品質(zhì)量 5 kg（包括樣品托）
☆同心旋轉(zhuǎn)和傾斜

樣品托：
☆標(biāo)準(zhǔn)多功能樣品托，以*方式直接安裝到樣品臺上，可容納18個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品托架（φ12mm）、3個(gè)預(yù)傾斜樣品托、2個(gè)垂直和2個(gè)預(yù)傾斜側(cè)排托架（38°和90°），樣品安裝無需工具

探測器系統(tǒng)：可同步檢測多達(dá)4中信號
☆樣品室二次電子探測器ETD
☆鏡筒內(nèi)背散射電子探測器T1
☆鏡筒內(nèi)二次電子探測器T2
☆鏡筒內(nèi)二次電子探測器T3（可升級）
☆ IR-CCD紅外相機(jī)（觀察樣品臺高度）
☆ 可用于圖像導(dǎo)航的彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam+™
☆ 高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器ICE
☆ 可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器DBS
☆ 電子束流測量