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BW-ITSM 大功率浪涌電流測試儀 3000A

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 陜西博微電通科技有限責任公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 BW-ITSM
  • 產(chǎn)地 陜西西安
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/3/27 13:34:42
  • 訪問次數(shù) 13

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


陜西博微電通科技有限責任公司是一家致力于高精度半導體測試設備、電力電子設備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲能解決方案的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿(mào)區(qū),地理位置環(huán)境*,依托西安眾多高校及研究所,公司擁有一批高素質(zhì)人才隊伍,從軟件開發(fā)、硬件設計、系統(tǒng)集成、產(chǎn)品升級迭代及售后服務均由專業(yè)技術(shù)人員完成,多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導體測試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品,經(jīng)過技術(shù)迭代,產(chǎn)品功能全面,產(chǎn)品質(zhì)量可靠,市場口碑優(yōu)秀。

   公司注重產(chǎn)品質(zhì)量,注重客戶服務滿意度及產(chǎn)品體驗每一款產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴格的檢驗或第三方機構(gòu)監(jiān)測,并持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品功能、根據(jù)客戶需求定制或迭代升級產(chǎn)品。我們秉承“博厚共贏、服務入微”理念竭誠為每一位客戶提供可靠的、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務,幫助解決客戶實際使用痛點,開發(fā)難點,節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率,助力行業(yè)發(fā)展。

半導體測試系統(tǒng):(Semiconductor test system)

針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導體測試產(chǎn)品,廣泛應用于半導體企業(yè)測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應用端產(chǎn)業(yè)鏈的來料檢驗、器件選型及科研及院所、實驗室的數(shù)據(jù)驗證分析和研發(fā)指導等。

半導體測試設備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態(tài)參數(shù)測試(包括導通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))測試精度可達16位ADC;動態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等;環(huán)境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導體器件測試設備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數(shù)測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA,各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機系統(tǒng)等。

電池安全管理及儲能:(Battery safety management and energy storage system)

電池安全管理系統(tǒng)主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統(tǒng)安全及應用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案,主要產(chǎn)品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控數(shù)據(jù)平臺等,產(chǎn)品廣泛應用于儲能,云計算,數(shù)據(jù)中心,通信網(wǎng)絡,軌道交通,以及商業(yè)和工業(yè)設施關(guān)鍵電源領域,將成為國家綠色能源轉(zhuǎn)型重要系統(tǒng)保障。

 

 

半導體測試設備,功率器件可靠性測試,熱特性安全測試,儲能及電力能源安全管理系統(tǒng)

價格區(qū)間 面議 應用領域 電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣,綜合

BW-IFSM/ITSM浪涌電流測試儀

(方波 100μm-10ms/<1000A,正弦波 100μm-10ms/>3000A)可加熱


浪涌電流測試系統(tǒng) BW-ITSM(方波 100μm-10ms/<1000A,正弦波 100μm-10ms/>3000A)是SIC相關(guān)半導體器件測試的重要檢測設備

測試原理:

  • 模擬浪涌電流產(chǎn)生:通常利用專門的電路或裝置來模擬電力系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的浪涌電流情況。如基于LC振蕩電路原理,通過電容的快速放電和電感的儲能、釋能過程,產(chǎn)生具有特定波形和幅值的浪涌電流。一些系統(tǒng)還會采用晶閘管等功率器件來控制放電過程,精確調(diào)整浪涌電流的參數(shù)。

  • 響應檢測與分析:被測設備在承受浪涌電流時會產(chǎn)生相應的電氣響應,如電壓波動、電流變化、設備工作狀態(tài)改變等。測試系統(tǒng)通過電壓傳感器、數(shù)據(jù)采集設備等記錄這些響應,然后利用數(shù)據(jù)分析軟件對采集到的數(shù)據(jù)進行處理和分析,判斷被測設備對浪涌電流的耐受能力、響應特性等。


測試意義:

  • 評估設備可靠性:能檢驗設備在浪涌電流沖擊下是否會出現(xiàn)故障、損壞等問題,確保其在惡劣電力環(huán)境下也能穩(wěn)定工作,為設備的質(zhì)量和可靠性提供重要依據(jù)。比如在電力系統(tǒng)中,通過浪涌電流測試可保證變壓器、開關(guān)等設備在雷擊等浪涌情況下的安全運行。

  • 具有如下特點:

1)該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制,測試可按測試員設定的程序進行自動測試。

2)該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結(jié)果,并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理。

3)該套測試設備主要由以下幾個單元組成:

a、浪涌測試單元

b、阻斷測試單元

C、自動加熱控溫系統(tǒng)

d、計算機控制系統(tǒng),參數(shù)設定,測試數(shù)據(jù)記錄,波形保存均有計算機完成,一鍵測試,

4)參考的相關(guān)標準:JBT-7624-2013《整流二極管測試方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200


一、技術(shù)條件

1、浪涌測試單元IFSM

正弦半波浪涌電流范圍:短路電流50~3000A,分辨率1A,精度<2%±1,

低檔范圍:50~200A,計算機設定 高檔范圍:100~3000A 計算機設定

b.浪涌電流底寬:0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波,偏差小于±3%,單選。

c.浪涌電流重復測試間隔(可設定):2S~300S。

e.浪涌電流下的壓降測試:壓降測試范圍0.01-50V,分辨率0.001V,精度<2%±0.01

f.正向浪涌波形和導通壓降波形可自動顯示并保存在電腦中。同時可保存波形的數(shù)據(jù)。

g、方波浪涌:電流寬度100-5000us,可任意調(diào)整參數(shù)寬度

h、方波電流范圍:寬度:方波100-1000us:對應電流50-1000A

方波5-10mS:對應電流50-500A

方波0.1-1mS:對應電流50-1000A

浪涌電流輸出方式:單次、重復(電流不變,重復測試)、遞增(測試電流按設定步進自動增加,到目標或失效停止)

加熱自動控溫系統(tǒng),含兩套,模塊為底板加熱控溫,分立器件為手動小型加熱控溫。控溫范圍:25-180℃,控溫誤差小于2%,設定溫度手動設定。

2、阻斷測試(用于判斷浪涌電流后器件是否失效)

a.正反向電壓測試范圍:50V~500V可調(diào) ,分辨率1V,精度<2%±1。

設定漏電流上限保護,再測試電壓;如測試漏電流大于設定值停止加高壓。判斷為導通失效。

b.反向電壓輸出方式:DC直流,正反向輸c.漏電流:0.001~10mA,分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%

e.測試過程:計算機設定,過程一鍵自動測試;自動完成判斷是否浪涌失效,并自動保存測試數(shù)據(jù)

g,適合封裝:各類二極管,MOS、IGBT等,封裝為TO直插或模塊等,兩種接口:1000A以下的直插接口,及模塊接口(機柜側(cè)面),所有接口均手動接入器件。

3、MOS器件正向?qū)?、反向(體二極管)測試

正向?qū)y試:柵極電壓:5-25V可設定, 判斷阻斷電壓給正向電壓反向?qū)y試:柵極電壓:-10-0V可設定,判斷阻斷電壓給反向電壓。

參數(shù)設定主要是設定圖11所示的幾個關(guān)鍵參數(shù),包括反向保護電壓、保護電流(設定漏電流上限)、脈沖間隔時間(重復測試時間)、脈沖次數(shù)(重復次數(shù))等。設定時需注意,有關(guān)參數(shù)不能超過系統(tǒng)設定范圍,比如脈沖次數(shù)為1-20次,如輸入30,則系統(tǒng)默認為20。

電流寬度:選10uS或10mS

電流方式:方波或正弦波

電流換擋:低檔(50-200A),高擋(100-3000A),方波50-1000A

浪涌電流模式:單次、重復或遞增

遞增測試:設定高檔電流,再設起始電流,遞進電流時增加量遞增電流

如:高檔電流設定100A,起始電流70A,遞增5A,點擊運行,測試最終停止與100A

脈沖次數(shù)即重復次數(shù)

其他二極管浪涌測試:

可用于各類二管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌電流(IFSM)試驗,包括三管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測試。** **二管元件在實際使用中,除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外,還應能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞,以便適應在各種應用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍,輕者引起元件性能變壞(如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化) **

技術(shù)指標:

浪涌電流(IFSM/ITSM)調(diào)節(jié)范圍:0.30~3.60kA

分辨率0.01kA,精度±3%±0.01kA

電流波形:正弦半波,底寬10ms

測試頻率:單次

反向電壓(VRRM)調(diào)節(jié)范圍:0.20~2.00kV,分辨率0.01kV,精度±5%

反向電壓測試頻率:50Hz;

反漏電流(IRRM)測試范圍;1.0~100.0mA,分辨率0.1mA,精度±5%±0.1mA


工作方式:

由觸摸液晶屏設定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護值

上述設備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標準進行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。




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