半導(dǎo)體預(yù)清洗機是晶圓制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，專為去除硅片表面微粒污染、有機物殘留、氧化層及金屬雜質(zhì)而設(shè)計。本設(shè)備通過集成濕法化學(xué)清洗、兆聲波空化、等離子體活化等多模塊技術(shù)，實現(xiàn)納米級潔凈度控制，為光刻、蝕刻、沉積等后續(xù)制程提供超凈表面基礎(chǔ)，顯著提升芯片良品率與性能穩(wěn)定性。

核心技術(shù)優(yōu)勢

復(fù)合式清洗模式

兆聲波空化技術(shù)（SAP）：采用高頻（>1MHz）聲波場，精準(zhǔn)剝離<10nm顆粒，避免機械損傷，適用于敏感結(jié)構(gòu)（如FinFET器件）。

等離子體預(yù)處理：通過O?/Ar等離子體轟擊，高效分解光刻膠殘留及有機污染物，表面活化能提升后續(xù)清洗液浸潤效果。

化學(xué)濕法定制：支持SC-1（H?SO?/H?O?）、SC-2（NH?OH/H?O?）、DHF（稀釋氫氟酸）等配方切換，兼容不同材質(zhì)（Si、SiC、GaAs）的腐蝕與去氧化需求。

精密流體控制系統(tǒng)

動態(tài)液膜分布技術(shù)：噴淋臂三維運動軌跡結(jié)合渦旋流控算法，實現(xiàn)清洗液均勻覆蓋，消除晶圓邊緣效應(yīng)。

在線監(jiān)測與閉環(huán)調(diào)節(jié)：實時監(jiān)測電導(dǎo)率、pH值及顆粒濃度，AI算法自動調(diào)整化學(xué)液配比與沖洗時間，降低耗材浪費。

超潔凈干燥工藝

低溫旋干技術(shù)：利用Marangoni效應(yīng)快速揮發(fā)水分，結(jié)合N?/IPA（異丙醇）雙介質(zhì)置換，避免水痕與氧化物殘留。

潔凈室級密封設(shè)計：腔體采用電解拋光316L不銹鋼，配備HEPA過濾單元（0.1μm截留率），防止二次污染。

智能化與自動化特性

無人值守操作：全自動機械臂完成上料、清洗、干燥及下料，支持24小時連續(xù)運行。

數(shù)據(jù)追溯系統(tǒng)：每片晶圓的清洗參數(shù)（溫度、流速、時間）及潔凈度檢測數(shù)據(jù)自動存檔，符合ISO/SEMI標(biāo)準(zhǔn)。

遠程運維支持：設(shè)備狀態(tài)實時上傳至云端平臺，支持故障預(yù)警與工藝參數(shù)遠程優(yōu)化。

環(huán)保與經(jīng)濟性設(shè)計

廢液循環(huán)處理：內(nèi)置三級過濾系統(tǒng)（UF+RO+離子交換），回收率達90%，降低危廢處理成本。

節(jié)能模式：待機時自動進入低功耗狀態(tài)，化學(xué)液加熱采用PID恒溫控制，減少能源消耗。

模塊化適配：可根據(jù)產(chǎn)線需求靈活配置單片/批式清洗模塊，兼容2-12英寸晶圓，降低企業(yè)設(shè)備迭代成本。

應(yīng)用場景與行業(yè)價值

本設(shè)備廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND閃存、功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體（如GaN、SiC）制造環(huán)節(jié)，尤其適用于：

光刻前硅片表面有機物去除

蝕刻后聚合物殘留清洗

TSV（硅通孔）工藝中的深槽清潔

封裝中的臨時鍵合劑剝離

通過提升晶圓表面潔凈度至<0.1nm粗糙度與<0.01μm2顆粒密度，可減少50%以上的電參數(shù)漂移問題，助力客戶突破5nm以下制程良率瓶頸。