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化工儀器網>產品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>光刻及涂膠顯影設備>無掩模光刻機/直寫光刻機>MKW-200 直寫光刻機/無掩膜光刻機

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MKW-200 直寫光刻機/無掩膜光刻機

具體成交價以合同協(xié)議為準

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上海麥科威半導體技術有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設備的供應商,所銷售的儀器設備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術有限公司主要銷售產品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓??;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術, 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫(yī)科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業(yè)大學, 南京醫(yī)科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業(yè)技術學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫(yī)學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術大學, 理化技術研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。









半導體設備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

  • 詳細介紹

  • 上海麥科威MKW-200是一個高價值的激光直寫光刻機,面向大學和研究機構尋求擴大他們的能力。

    它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫。你可以寫任何東西,從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型,集成相機可以用來調整現有的功能寫。

    我們對其進行了優(yōu)化,以便于使用和簡單維護,利用現成的部件,而不犧牲書寫質量或功能。

    直接激光書寫光刻

    直接激光光刻技術通過消除光掩模生產對外部供應商的依賴,大大降低了微流體、微電子、微機械和材料科學研究等領域的成本和執(zhí)行時間。


    UV-Writer隨其控制軟件在PC上提供。它允許您從GDSII文件的單元格或直接從PNG圖像導入要寫入的設計。

    一切都是通過一個用戶友好的圖形界面來完成的,它允許您在執(zhí)行之前預覽要編寫的設計。

    除了對每個設計應用旋轉、反射、反轉或比例調整等變換外,還可以在單個過程中組合多個設計。

    在確定了設計方案后,采用了所包含的工作臺控制模塊和共焦顯微鏡。

    使用它們,您可以設置基片上工藝的原點位置和感光表面上的焦平面。

    接下來執(zhí)行該過程并將設計寫在表面上。



    技術指標:

    XY工作臺

    典型寫入速度:100-120 mm/s

    面積:100x92 mm^2

    最小面積:沒有最小面積

    單向定位臺階:X=0.16µm,Y=1.00µm

    慢速X軸上的機械噪聲:<1µm

    快速Y軸上的機械噪聲:<1µm

    多層對準精度:5-10µm(可選旋轉臺,便于對準)

    實際最小特征尺寸:6-15µm,取決于特征(示例見下圖)


    軟件

    支持的格式:PNG、GDSII

    在軟件轉換:,旋轉、反射、反轉、重縮放、添加邊框

    -可以在一個進程中編寫來自不同文件的多個設計

    -通過3點線性或4點雙線性聚焦測量進行傾斜/翹曲基板補償

    -全床曲率補償的網格型標定


    光學

    -激光波長:405nm(可選375nm)

    -激光聚焦、對準和檢測用共焦顯微鏡

    -二次獨立黃色照明

    -激光光斑尺寸可以使用工業(yè)標準顯微鏡物鏡改變


    精度:

    -精細:0.8µm

    -介質:2µm

    -粗粒:5µm


    大面積包含目標的有效書寫速度(單向書寫):

    -精細:1.7 mm^2/min

    -中等:4.25 mm^2/min

    -粗糙度:10.6 mm^2/min

    在雙向寫入模式下速度加倍。




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