技術(shù)參數(shù)

1.蒸鍍?cè)碈ell&電源：
•有機(jī)金屬沉積蒸鍍Cell 
    --zui大溫度: 500℃ 
    --坩堝容積和材料: 2~200 ccQuartz, Graphite,etc 
    --包含ShutterCooling shroud (選件) 
    --電源:15A, 20V 
    --溫度控制: PID control 
•金屬沉積蒸鍍Cell 
    --zui大溫度: 1,400℃(up to 1,800 ℃) 
    --坩堝容積和材料: 2~120 ccAl2O3, BN, PBN, etc
    •包括shutter和Cooling shroud
    •電源: 30A, 80V
    •溫度控制：ntrol : PID control

2.薄膜沉積控制：
•CygnusPC控制
    --控制沉積參數(shù) 
        ----多達(dá)6源同時(shí)沉積 
    --石英晶體振蕩器 
        ----一個(gè), 兩個(gè)或六個(gè)
•膜厚測(cè)量 
    --石英晶體振蕩器
        ----一個(gè), 兩個(gè)或六個(gè)

3.真空室：
•圓柱形腔體
    --直徑: φ300 ~ 1,000 mm (Substrate : 1 inch to 370 ×400 mm) 
    -- 高度: 300 ~ 700 mm
•方形腔體 
    --根據(jù)客戶需求定制

4.真空泵和測(cè)量裝置：
•低真空: 干泵和convectron真空規(guī)
•高真空: 渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī)
•超高真空: 離子泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)：PLC, PC with Touch Screen