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MIT1020/2美國Megger （AVO）絕緣電阻測(cè)試儀MIT1020/2

測(cè)試電壓：50V~10000V
測(cè)試電壓在50V-1000V的范圍里以10V步進(jìn)遞增，1KV-10KV的范圍里以25V步進(jìn)遞增
測(cè)試電阻（阻抗）顯示zui大讀數(shù)35TΩ，顯示zui小讀數(shù)10KΩ
短路電流：3mA
實(shí)時(shí)輸出：能連續(xù)不斷的輸出測(cè)試電壓，電流和阻抗

美國Megger （AVO）絕緣電阻測(cè)試儀MIT1020/2的詳紹

美國Megger （AVO） MIT1020/2 10KV絕緣電阻測(cè)試儀（高壓兆歐表）

▲全新的MIT1020/2絕緣電阻測(cè)試儀是MEGGER特別設(shè)計(jì), 用來測(cè)試和維護(hù)高壓設(shè)備的*儀器。

▲IEEE43-2000推薦使用者可以使用MIT1020/2來測(cè)試額定超過12KV的電動(dòng)機(jī)的繞組。

▲雙路電源輸入設(shè)計(jì)：可充電電池或主電源輸入。儀器可由220V電源供電，也可以由儀器內(nèi)置可以充電電池供電。這樣有一個(gè)好處就是要測(cè)試的場(chǎng)所不清楚是否有電源或者測(cè)試周期不清楚的時(shí)候，都可以來進(jìn)行測(cè)試。

▲數(shù)字/模擬雙顯示測(cè)試結(jié)果

▲測(cè)試電壓由50V 至10KV 可調(diào)

測(cè)試電壓在50V-1000V 的范圍里以10V（步進(jìn)）微調(diào)，1000V-10000V的范圍里以25V（步進(jìn)）微調(diào)。

▲絕緣電阻測(cè)量測(cè)試范圍擴(kuò)展為35TΩ,用于對(duì)高質(zhì)量絕緣材料的絕緣趨勢(shì)分析等。

▲短路電流：3mA

▲抗干擾：2mA rms

▲全新設(shè)計(jì)的背光LCD顯示屏使操作者在陽光下或者光線很暗的情況下輕松讀出數(shù)據(jù)。

▲絕緣電阻測(cè)試儀顯示的信息：絕緣阻值，實(shí)時(shí)測(cè)試電壓，泄漏電流，等效電容，電池狀態(tài)和時(shí)間常數(shù)。同時(shí)，每次測(cè)試時(shí)LCD上還會(huì)顯示已測(cè)試時(shí)間，這就不需要在測(cè)試時(shí)額外計(jì)時(shí)。

▲絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)置了多個(gè)計(jì)時(shí)器，還具備絕緣測(cè)試設(shè)限告警功能。

▲儀器上還帶有一個(gè)接地端子，使儀器能提高其精確性。

▲儀器的標(biāo)號(hào)分別標(biāo)在儀器的頂部和旁邊，方便儲(chǔ)存或者運(yùn)輸?shù)臅r(shí)候辨認(rèn)。

▲儀器的控制的操作都清楚的寫在儀器隨機(jī)器附帶的說明書里面。

MIT1020/2美國Megger （AVO）絕緣電阻測(cè)試儀MIT1020/2產(chǎn)品功能：

內(nèi)置多種自動(dòng)測(cè)試程序：

▲IR 絕緣電阻測(cè)試、

▲DAR 吸收比測(cè)試（介電吸收率）、

▲PI 極化指數(shù)測(cè)試、

▲SV 步進(jìn)電壓（跨步電壓）測(cè)試

▲DD 測(cè)試（介質(zhì)放電））

▲測(cè)試上限擴(kuò)展：35TΩ

▲提供USB與RS232接口下載數(shù)據(jù)

▲儀器內(nèi)置32KB存儲(chǔ)器可保存測(cè)試結(jié)果:存儲(chǔ)測(cè)試電壓，預(yù)設(shè)時(shí)間，泄漏電流，絕緣電阻，極化指數(shù)，DAR，DD，等效電容，時(shí)間常數(shù)。

產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)：

電源	95-240V，50/60 Hz 60VA
電池使用時(shí)間	在 10KV 狀態(tài)下，進(jìn)行4小時(shí)連續(xù)測(cè)試
測(cè)試電壓（DC）	1KV-10KV，每 25V 步進(jìn)
精度	± 5% 1 TΩ
（23°C）	± 20% 20 TΩ
顯示范圍	數(shù)字顯示 10 KΩ 到 35 TΩ
顯示范圍	模擬顯示 100 KΩ 到 1 TΩ
短路電流/	3mA
充電電流	3mA
電容充電時(shí)間	≤5秒/µF @ 3mA
電容放電時(shí)間	放電從 10000V 到
電容放電時(shí)間	50V ≤250 ms/µF
電容測(cè)量	10nF 到 50µF（取決于測(cè)量電壓）
電容測(cè)量精度	± 5% ± 5nF
（23°C）	± 5% ± 5nF
電壓輸出精度	基本測(cè)試電壓的 +4% @ 1GΩ
（0°C-30°C）	±25V非標(biāo)測(cè)試電壓（<500V）
測(cè)試電流范圍	0.01mA to 5mA
測(cè)量電流精度	± 5% ± 0.2mA @ 各種電壓量程
（23°C）	± 5% ± 0.2mA @ 各種電壓量程
抗干擾	2mA rms
主計(jì)時(shí)器量程	99分鐘59秒
導(dǎo)線	3條測(cè)試導(dǎo)線，帶絕緣夾頭
內(nèi)存容量	32KB
內(nèi)置測(cè)試程序	自動(dòng)IR，PI，DAR，DD，SV
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)	存儲(chǔ)測(cè)試電壓，預(yù)設(shè)時(shí)間，泄漏電流，絕緣電阻，極化指數(shù)，DAR，DD，等效電容，時(shí)間常數(shù)
工作溫度	-10°C-+50°C
儲(chǔ)存溫度	-25℃- +65℃
濕度	90% RH非凝固@40℃
保護(hù)等級(jí)	IP65
安全標(biāo)準(zhǔn)	符合EN61010- 1：2001 CATIII 300V
EMC	符合EN61326-1：1998
外形尺寸	305mm ×194 mm ×360 mm
重量	約7．1公斤
產(chǎn)品持有證書	CE

絕緣電阻測(cè)試儀測(cè)試指標(biāo)名詞解釋
（PI）	極化指數(shù)測(cè)試
	極化指數(shù)：在同一次試驗(yàn)中，10min時(shí)的絕緣電阻值與1min時(shí)的絕緣電阻值之比。

（DAR）	感應(yīng)吸收比（誘電吸收比）測(cè)試
	吸收比：在同一次試驗(yàn)中，60s時(shí)的絕緣電阻值與15s時(shí)的絕緣電阻值之比。


（SV）	步進(jìn)電壓測(cè)試
（DD）	介質(zhì)放電（誘電體放電）

絕緣電阻,吸收比,極化指數(shù)之間的關(guān)系
當(dāng)說吸收比時(shí)，應(yīng)該說到絕緣電阻極化指數(shù)。
絕緣電阻：在絕緣結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電極之間施加的直流電壓值與流經(jīng)該對(duì)電極的泄漏電流值之比。R=U/I，常用單位：（MΩ）兆歐

10KV系列絕緣電阻測(cè)試儀選型及功能對(duì)照表

產(chǎn)品型號(hào)	MIT1020/2	S1-1052/2	S1-1054/2
絕緣電壓測(cè)試范圍
50~10,000V（可步進(jìn)調(diào)節(jié)）	▲	▲	▲
絕緣測(cè)試
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui大顯示數(shù)字讀數(shù)）	35 T Ω	35 T Ω	35 T Ω
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui小顯示數(shù)字讀數(shù)）	10 k Ω	10 k Ω	10 k Ω
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui大顯示模擬讀數(shù)）	1 T Ω	1 T Ω	1 T Ω
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui小顯示模擬讀數(shù)）	100 k Ω	100 k Ω	100 k Ω
功能
zui大輸出電流	5mA	5mA	5mA
短路電流	3mA	5mA	5mA
抗干擾抑制	2mA	2mA	4mA
自動(dòng)進(jìn)行試品IR泄漏電流測(cè)試	▲	▲	▲
自動(dòng)測(cè)量絕緣電阻	▲	▲	▲
DAR吸收比測(cè)試（介電吸收率）	▲	▲	▲
PI 極化指數(shù)測(cè)試	▲	▲	▲
SV 步進(jìn)電壓（跨步電壓）測(cè)試	▲	▲	▲
DD 測(cè)試（介質(zhì)放電）測(cè)量	▲	▲	▲
內(nèi)置定時(shí)器器	▲	▲	▲
內(nèi)置32KB存儲(chǔ)器	▲	▲	▲
顯示
數(shù)字和模擬雙重顯示	▲	▲	▲
顯示測(cè)試電壓	▲	▲	▲
顯示試品充電時(shí)間	▲	▲	▲
顯示充電電流	▲	▲	▲
顯示時(shí)間	▲	▲	▲

▲絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)置五種可設(shè)置工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)絕緣測(cè)試程序，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測(cè)試，提供全部分析結(jié)果：
▲絕緣電阻測(cè)試儀外殼由硬塑聚炳烯制造，由于在生產(chǎn)過程中經(jīng)過特殊處理，因此特別堅(jiān)固耐用，而且輕巧便于攜帶，符合IP65標(biāo)準(zhǔn)。

（替代S1-5005、MEG-10-01）

產(chǎn)品特點(diǎn)：

關(guān)鍵詞：