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美國GE USM36充電器 美國GE USM36電池
美國GE USM88充電器 美國GE USM88電池
美國GE USM35充電器 美國GE USM35電池
美國GE USM3 GO充電器 美國GE USM GO 電池
| 顯示屏幕 | ||
| 液晶尺寸/有效范圍(寬 × 高) | 7"/152.4 × 91.44 mm | |
| 分辨率(寬 × 高) | 800 × 480像素 | |
| 測量范圍 | 4~14108mm(555")，縱波 | |
| 顯示屏 | ||
| 顯示移位(延時) | -15~3500 μs | |
| 探頭延時 | 0~1000 μs | |
| 聲速范圍 | 250~16000 m/s | |
| 脈沖重復(fù)頻率 | 自動優(yōu)化15~2000Hz，三種自動設(shè)置模式：低、中、***和手動模式 | |
| 接頭 | ||
| 探頭接口 | 2xLEMO-1或2xBNC | |
| USB接口 | USB B型接頭 | |
| 脈沖發(fā)生器 | ||
| 脈沖發(fā)生器模式 | 尖脈沖發(fā)生器(可選)：方波脈沖發(fā)生器 | |
| 脈沖發(fā)生器電壓(SQ 模式) | 120~300 V，以10V 為步進(jìn)、容差為10% | |
| 脈沖發(fā)生器下降/上升時間 | 10ns | |
| 脈沖發(fā)生器寬度(SQ 模式) | 30~500 ns，以10ns 為步進(jìn) | |
| 脈沖發(fā)生器幅度(尖脈沖模式) | 低檔：120V，***：300V | |
| 脈沖發(fā)生器能量(尖脈沖模式) | 低檔：30 nS，***：100 nS | |
| 阻尼 | 50Ω，1000Ω | |
| 脈沖接收器 | ||
| 數(shù)字增益 | 動態(tài)范圍110dB，以0.2dB 為步進(jìn)可調(diào) | |
| 模擬帶寬 | 0.5~20MHz | |
| 濾波器 | 寬帶：1-5MHz/2, 2.25MHz/4, 5MHz/10MHz/13, 15MHz | |
| 整流 | 整流正半波、負(fù)半波、全波、射頻信號 | |
| 柵極 | ||
| 獨(dú)立柵極 | 柵極A和B(由柵極 A 觸發(fā))，柵極C(選項(xiàng)、由柵極A或B觸發(fā)) | |
| 測量模式 | 峰值、側(cè)翼、J側(cè)翼、***峰值 | |
| 存儲器 | ||
| 卡槽 | 適用于所有標(biāo)準(zhǔn)SD卡的SD卡槽 | |
| 容量 | 8GB，SD卡 | |
| 數(shù)據(jù)集 | UGO數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、以ASCII形式表示 | |
| 報告 | JPG或BMP格式 | |
| 概述 | ||
| 電池 | 鋰離子電池、工作時間：充滿電時13個小時 充電方法(標(biāo)準(zhǔn))：內(nèi)置電源適配器，充電方法(可選)：外部充電器 充電電量：與充電電量成比例的指示符 | |
| 電源適配器 | 通用供電單元100~240VAC，50/60Hz | |
| 主機(jī)尺寸(寬 × 高 × 深) | 255 × 177 × 100mm (10” × 7.0” × 3.9”) | |
| 重量 | 2.2kg(含電池) | |
| 語言 | 保加利亞語、漢語、捷克語、荷蘭語、英語、芬蘭語、法語、德語、匈牙利語、意大利語、日語、挪威語、波蘭語、葡萄牙語、羅馬尼亞語、俄語、西班牙語、瑞典語 | |
| 外殼 | 符合IEC 60529 標(biāo)準(zhǔn)的 IP66 | |
| 工作溫度 | -10~55°C | |
| 選件 | ||
| AWS | AWS 校準(zhǔn)工具、符合 AWS D1.1 結(jié)構(gòu)焊接規(guī)范 | |
| DAC/JISDAC/CNDAC | DAC校準(zhǔn)工具，16點(diǎn)，符合EN1712，EN1713，EN1714，ASTM E164，ASME，ASMEIII，JIS Z3060及GB11345 等標(biāo)準(zhǔn) TCG: 動態(tài)范圍120dB，斜率110dB/μs | |
| DGS | DGS校準(zhǔn)工具，符合：EN 1712，EN 1713，EN 1714 及 ASTM E164 等標(biāo)準(zhǔn) | |
| 數(shù)據(jù)記錄器 | 網(wǎng)格文件創(chuàng)建 | |
| 3閘門 | 柵極C | |
| SWP | 用于脈沖發(fā)生器的參數(shù)優(yōu)化，電壓設(shè)置 120 … 300V，以10V 為步進(jìn)，脈沖寬度設(shè)置 30~500ns，以10ns 為步進(jìn) | |
| 幻影PRF | 幻影 PRF 用于識別錯誤回聲、這類回聲由低衰減材料中的多次反射造成 | |
| BEA | 布萊克沃爾回聲衰減 |
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