[報(bào)告簡(jiǎn)介]

法國(guó)Spin-Ion Technologies公司（中文注冊(cè)名——旋離科技®）開發(fā)了種非常有色的樣品處理技術(shù)——對(duì)已制備的器件進(jìn)行He⁺離子輻照，該技術(shù)可以在原子尺度上調(diào)控并提升磁性薄膜的磁性能。運(yùn)用輕離子技術(shù)，通過(guò)低能量轉(zhuǎn)移，可實(shí)現(xiàn)原子間替換的精確控制。其核心是改變微觀結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)控相應(yīng)的磁學(xué)性質(zhì)。該技術(shù)也可以在不需要物理刻蝕的條件下，通過(guò)掩模實(shí)現(xiàn)磁性的橫向調(diào)制。在本次報(bào)告中，將會(huì)展示些重要的研究成果，這些成果為用離子輻射來(lái)化下代自旋電子器件的性能提供了解決方案，包括精確控制界面各向異性、磁化、DMI、增強(qiáng)疇壁和斯格明子移動(dòng)，降低SOT器件的臨界電流和降低自旋轉(zhuǎn)矩納米振蕩器（STNO）的線寬。

報(bào)告將展示新的尖·端設(shè)備“Helium-S^®" 是如何實(shí)施上述的技術(shù)方案，這是臺(tái)體型小巧且快速的He⁺離子束工具，它能夠在1英寸的晶片上提供1-30 keV的離子能量。

[直播入口]

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[報(bào)告時(shí)間]

2022 年 6月 9 日 15:30—16:30 

[主講人介紹]

Dafiné Ravelosona博士，致力于實(shí)驗(yàn)?zāi)蹜B(tài)物理的研究，目前是法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)的研發(fā)總監(jiān)，在巴黎薩克雷大學(xué)的“法國(guó)巴黎納米科學(xué)與技術(shù)中心(C2N)"擔(dān)任副總監(jiān)并負(fù)責(zé)管理納米電子學(xué)部門。他在具有垂直各向異性的磁性薄膜和器件中的疇壁動(dòng)力學(xué)和自旋輸運(yùn)方面，以及使用離子輻照的磁性材料加工和自旋電子器件方面擁有超過(guò)20年的研究經(jīng)驗(yàn)。同時(shí)，他也是兩家初創(chuàng)公司的創(chuàng)始人，包括2017年成立的Spin-Ion Technologies公司（中文注冊(cè)名——旋離科技^®），他擔(dān)任CEO-CTO，該公司正在研發(fā)種基于離子束的新型加工工藝，用以提高M(jìn)RAM材料的結(jié)構(gòu)性能。在這些年間，Dafiné Ravelosona博士共獲得了大約10個(gè)創(chuàng)新獎(jiǎng)項(xiàng)。 

Dafiné Ravelosona博士于1995年在巴黎第七大學(xué)獲得博士學(xué)位。在2004至2005年間，他受邀成為硅谷的日立環(huán)球存儲(chǔ)科技公司（HGST）研究中心的科學(xué)家。期間，他個(gè)展示了用化電流切換垂直納米磁體這技術(shù)。

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