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多功能薄膜制備系統(tǒng)-Nano CVD

產(chǎn)品簡介：

NanoCVD系列臺(tái)式設(shè)備是為制備高質(zhì)量的石墨烯與碳納米管而開發(fā)的高性能臺(tái)式CVD系統(tǒng)。在與諾獎(jiǎng)科研團(tuán)隊(duì)的長期合作中獲得的豐富經(jīng)驗(yàn)使該系列產(chǎn)品具有*的性能。別是針對(duì)石墨烯、碳納米管等不同的應(yīng)用進(jìn)行了針對(duì)性的化。該系列產(chǎn)品操作簡便，生長條件控制精準(zhǔn)，生長迅速、制備出的樣品具有高質(zhì)量、高可重復(fù)性，這些點(diǎn)使得該系列產(chǎn)品受到多個(gè)石墨烯研究團(tuán)隊(duì)的贊譽(yù)。該系列產(chǎn)品適合于想要制備高質(zhì)量石墨烯或碳納米管用于學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。例如，?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)這些的高校均是nanoCVD系列的用戶。

nanoCVD采用全新的設(shè)計(jì)理念，可以快速、高質(zhì)量地生產(chǎn)石墨烯或碳納米管。與傳統(tǒng)的簡易CVD(管式爐)相比，該系統(tǒng)基于冷壁設(shè)計(jì)方案，具有以下主要點(diǎn):

◎ 系統(tǒng)可以快速的升溫和降溫。

◎ 更加精準(zhǔn)的條件控制和可靠的工藝重現(xiàn)性。

◎ 安全性設(shè)計(jì)，具有尾氣稀釋模塊。

◎ 智能化設(shè)計(jì)，全自動(dòng)引導(dǎo)式觸屏操作系統(tǒng)。

◎ 支持自動(dòng)程序的設(shè)定與儲(chǔ)存。

◎ 雄厚的技術(shù)積累，業(yè)的技術(shù)支持。

設(shè)備型號(hào)：

臺(tái)式超高質(zhì)量石墨烯快速制備CVD系統(tǒng)- nanoCVD 8G

nanoCVD-8G系統(tǒng)可能是上超快的石墨烯生長系統(tǒng)。nanoCVD-8G具有壓強(qiáng)自動(dòng)控制系統(tǒng)，可以精準(zhǔn)的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統(tǒng)采用低熱容的樣品臺(tái)可在2分鐘內(nèi)升溫至1000℃并精準(zhǔn)控溫。該裝置采用了冷壁技術(shù)，樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因?yàn)檫@些條件可以讓用戶在30分鐘內(nèi)即可獲得高質(zhì)量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進(jìn)行操作，所有的硬件都是自動(dòng)化的。更有內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統(tǒng)安裝迅速，非常適合需要持續(xù)快速獲取高質(zhì)量石墨烯用于高質(zhì)量學(xué)術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。?？巳髮W(xué)、哈德斯菲爾德大學(xué)、萊頓大學(xué)、亞森工業(yè)大學(xué)等很多*的高校都是該系統(tǒng)的用戶。

主要點(diǎn)：

◎ 合成高質(zhì)量、可重復(fù)的石墨烯

◎ 生長條件精準(zhǔn)控制

◎ 高達(dá)溫度：1100 °C

◎ 生長時(shí)間：<30 min

◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm²

◎ 全自動(dòng)過程控制

◎ MFC流量計(jì)控制過程氣體 (Ar、H₂與CH₄)

◎ 用戶友好型觸屏控制

◎ 可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長程序

◎ 可連接電腦記錄數(shù)據(jù)

◎ 易于維護(hù)

◎ 全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊

◎ 兼容超凈間

◎ 系統(tǒng)性能穩(wěn)定

部分?jǐn)?shù)據(jù)展示：

小型等離子增強(qiáng)大尺寸石墨烯制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD WPG

nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質(zhì)量石墨烯生長的功能與等離子體增強(qiáng)技術(shù)相結(jié)合，系統(tǒng)可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，用該系統(tǒng)精準(zhǔn)的生長控制條件可以制備多種高質(zhì)量的2D材料，該系統(tǒng)是小型CVD系統(tǒng)性能上的個(gè)重大飛躍。全新的設(shè)計(jì)方案和控制系統(tǒng)使該系統(tǒng)成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。

應(yīng)用域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲(chǔ)能材料。

主要點(diǎn)：

晶圓樣品尺寸: 3英寸、4英寸
150 W/13.56 MHz RF 電源
多個(gè)等離子體電
高達(dá)溫度1100 °C
腔體冷壁技術(shù)
全自動(dòng)精準(zhǔn)條件控制
用戶友好的觸屏操作
可設(shè)定、存儲(chǔ)多個(gè)生長程序
可連接電腦記錄數(shù)據(jù)
易于維護(hù)
全面安全性設(shè)計(jì)，尾氣稀釋模塊
兼容超凈室
基于成熟的NanoCVD技術(shù)

生長條件：

◎ 襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片

◎ 工作原料：CH₄，C₂H₄， PMMA等

◎ 保護(hù)氣體：H₂，Ar，N₂等

典型配置指標(biāo)：

◎ 腔體：腔壁水冷技術(shù)，熱屏蔽不銹鋼腔體

◎ 真空系統(tǒng)：分子泵系統(tǒng)，5×10^-7 mbar本底真空。

◎ 樣品臺(tái)：大4英寸直徑，高達(dá)1100°C

◎ 操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動(dòng)控制或自動(dòng)控制

◎ 氣體控制：MFC 流量計(jì)，Ar，CH₄，H₂為標(biāo)配種類。

◎ 過程控制：自動(dòng)控制

◎ 等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺(tái)附近或需要的位置產(chǎn)生等離子體。

◎ 安全性：冷卻與真空鎖系統(tǒng)，氣體稀釋模塊。

臺(tái)式超精準(zhǔn)碳納米管快速制備CVD系統(tǒng) - nanoCVD 8N

nanoCVD-8N與石墨烯生長系統(tǒng)nanoCVD-8G有諸多共同之處，并針對(duì)碳納米管生長條件進(jìn)行了化。這些條件對(duì)于碳納米管(CNT)樣品的質(zhì)量和可重復(fù)性(主要是單壁形式)是至關(guān)重要的。創(chuàng)新的冷壁式腔體與傳統(tǒng)管式設(shè)備相比更易精準(zhǔn)控制實(shí)驗(yàn)條件和快速升降溫。nanoCVD-8N具有智能的控制系統(tǒng)和完備的安全性設(shè)計(jì)。設(shè)備易于安裝，易于使用，是快速進(jìn)入高質(zhì)量研究的理想選擇。該系統(tǒng)獲得沃里克大學(xué)用戶的高度贊譽(yù)。

碳納米管可采用Fe、Co、Ni的納米顆粒作為催化劑生長在SiO₂/Si, Si₃N₄以及石英等襯底上。

通過襯底與催化劑的選擇，可以生長的碳納米管有：

• 隨機(jī): 隨機(jī)方向的相互交疊的單壁碳納米管

• 有序: 平行的單壁碳納米管

• 豎直: 豎直的單壁碳納米管束

主要點(diǎn)：

◎ 合成的碳納米管具有很高的可重復(fù)性；

◎ 門為單壁碳納米管進(jìn)行了化；

◎ 生長條件精準(zhǔn)控制；

◎ 高達(dá)溫度：1100 °C；

◎ MFC流量計(jì)控制過程氣體 (Ar、H₂與CH₄)；

◎ 基片尺寸：大20 × 40 mm²；