氣溶膠顆粒度靜電計-德國設(shè)備 參考價:面議
氣溶膠顆粒度靜電計-德國設(shè)備研究發(fā)現(xiàn),與健康效應(yīng)更為相關(guān)的是空氣中顆粒的數(shù)量和大小,而非其質(zhì)量。這些超細顆粒只占氣溶膠質(zhì)量的很小一部分,因此不能通過稱重的方法進...煙霧發(fā)生器1-德國氣溶膠設(shè)備 參考價:面議
煙霧發(fā)生器1-德國氣溶膠設(shè)備此系統(tǒng)致力于煙霧的研究,廣泛應(yīng)用在各國授權(quán)的煙火研究分析實驗室,專業(yè)分析高標準濾材。 某些特殊行業(yè)需要超高潔凈度,對濾材要求高,例如...等離子體原子/離子源-真空組件 參考價:面議
等離子體原子/離子源-真空組件產(chǎn)生感應(yīng)耦合等離子體,包括氮氣,氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個射頻線圈(頻率13.56MHz),能量將轉(zhuǎn)化為等離子體,這會產(chǎn)生僅具...俄歇電子能譜儀(在線表面分析)-材料表征 參考價:面議
俄歇電子能譜儀(在線表面分析)-材料表征The microCMA is a compact (2.75“ CF mount) cylindrical mirro...全自動劃片機/切片機(12英寸)-半導(dǎo)體材料 參考價:面議
全自動劃片機/切片機(12英寸)-半導(dǎo)體材料– 最大 12 英寸硅晶圓– 真空吸盤:6~12英寸可切割材料:硅晶圓、QFN、陶瓷、印刷電路板、石英、LED、移動...集成式低溫等離子體源 參考價:面議
集成式低溫等離子體源--基于壓電變壓器直接放電,同時在元件的輸出端直接產(chǎn)生冷等離子,等離子通過電離空氣或氣體來形成。手持低溫等離子體源 參考價:面議
手持低溫等離子體源--基于壓電變壓器直接放電,同時在元件的輸出端直接產(chǎn)生冷等離子,等離子通過電離空氣或氣體來形成。大氣等離子體系統(tǒng) 參考價:面議
大氣等離子體系統(tǒng)機器人工業(yè)化設(shè)計中使用的*定制單元:10米線便可輕松集成至各種系統(tǒng)中的PS2000高壓單元和PB3等離子體發(fā)生器。X射線光源-真空組件 參考價:面議
X射線光源-真空組件X射線光源(可用于X射線電子能譜) 雙陽極X射線光源多種陽極材料具有差分抽氣或者從安裝口抽氣70mm O.D. CF安裝法蘭射頻離子/原子源(可轉(zhuǎn)換)-真空組件 參考價:面議
射頻離子/原子源(可轉(zhuǎn)換)-真空組件射頻離子源:用于離子束沉積,離子束輔助沉積,MEMS射頻原子源:用于合成氧化物,氮化物,氫原子清洗真空腔體水氣解吸附組件2 參考價:面議
真空腔體水氣解吸附組件2ZCUVE代表了水蒸氣解吸技術(shù)的新進展。*的設(shè)計可從2.75“擴展到8"法蘭尺寸,紫外線功率因數(shù)w按比例增加磁控濺射源(1英寸/2英寸/3英寸)-真空組件 參考價:面議
磁控濺射源(1英寸/2英寸/3英寸)-真空組件磁控濺射源/靶槍(1英寸/2英寸/3英寸)我們提供多種口徑的圓形平面靶槍,尺寸1“, 2“ and 3“. 以及矩...半球電子能量分析器-真空組件 參考價:面議
半球電子能量分析器-真空組件半球電子能量分析器半徑: 120mm反轉(zhuǎn)角度: 180 deg.真空腔體水氣解吸附組件 參考價:面議
真空腔體水氣解吸附組件Zcuve是近年來上較多使用的水蒸氣解吸技術(shù)。*的設(shè)計可從2.75“擴展到8"法蘭尺寸,具有比例較高的紫外線功率因數(shù)IG2離子源-超高真空 參考價:面議
IIG2離子源-超高真空典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)濺射清洗 /表面準備,用于表面科學,MBE ,高真空濺射過程離子輔助沉...磁控濺射靶源-真空組件 參考價:面議
磁控濺射靶源-真空組件我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)(1e-11torr)匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中,可烘烤至250℃。在匹配的...電子束蒸發(fā)源-真空組件 參考價:面議
電子束蒸發(fā)源-真空組件電子束蒸發(fā)源對于使用常用熱蒸發(fā)技術(shù)非常難蒸發(fā)的材料,電子束蒸發(fā)是一種有效的蒸發(fā)手段.通過高能電子束射向靶材來升高靶材溫度.相比于通常輻射或...半球型電子能量分析譜-真空組件 參考價:面議
半球型電子能量分析譜-真空組件大型高透射半球形電子能量分析譜--120mm半徑.¨ 全程180度反轉(zhuǎn)角度.¨ 邊緣界線區(qū)域校正--使用Jos...俄歇電子能量譜-真空組件 參考價:面議
俄歇電子能量譜-真空組件俄歇電子能量譜是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面分析技術(shù). AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運行也同...熱舟蒸發(fā)源-真空組件 參考價:面議
熱舟蒸發(fā)源-真空組件應(yīng)用范圍: 薄層沉積; 光學涂覆; 混合層沉積; 金屬電極接觸。深能級瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征 參考價:面議
深能級瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征深能級瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段!測試功能:電容模式、定電容模式、電流模式、(雙關(guān)...皮可安培計(USB接口)-材料表征 參考價:面議
皮可安培計(USB接口)-材料表征技術(shù)參數(shù):接口輸入: BNC; 模擬輸出偏壓選項:無偏壓/ 內(nèi)置偏壓 (± 90 V DC)/ 外置偏壓 (BNC)飛行時間二次離子質(zhì)譜2-材料表征 參考價:面議
飛行時間二次離子質(zhì)譜2-材料表征飛行時間二次離子質(zhì)譜是一種靈敏的表面分析技術(shù),可以廣泛應(yīng)用于物理,化學,微電子,生物,制藥,空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-S...皮可安培計-材料表征 參考價:面議
皮可安培計-材料表征技術(shù)參數(shù):接口輸入: BNC; 模擬輸出: Banana jacks偏壓選項:無偏壓/ 內(nèi)置偏壓 (± 90 V DC)/ 外置偏...