磁控濺射靶源-真空組件

我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)(1e-11torr)匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環(huán)境下，可以實現(xiàn)超高純度的濺射沉積。

磁控濺射靶源-真空組件
應(yīng)用范圍：
金屬沉積；
電介質(zhì)沉積；
復(fù)合物沉積。

技術(shù)參數(shù):
不同型號濺射源可以選用不同靶材尺寸 .1",2",3" 等各種靶材尺寸均可使用;
靶材厚度薄,低至4mm,節(jié)約靶材;
濺射源法蘭上帶有氣體管道，以便提高操作濺射源時的真空。
手動/馬達(dá)驅(qū)動 擋板
濺射源可設(shè)計成原位傾斜，傾斜角度(+/-30o)
氣體流量控制
進程全自動化
真空中可烘烤至250攝氏度;
占用空間小;
冷卻水流量低,僅0.5L/min