BALLUFF傳感器BSI R65K0-XB-MXS015-S115產(chǎn)品簡(jiǎn)介：抗磁場(chǎng)干擾的感應(yīng)式傳感器特別適合在強(qiáng)電磁場(chǎng)區(qū)域內(nèi) （在焊接設(shè)備和感應(yīng)淬火設(shè)備中） 使用。它們對(duì)在電焊電流高達(dá)25 kA時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)不敏感。

BALLUFF傳感器BSI R65K0-XB-MXS015-S115產(chǎn)品詳情：

BALLUFF傳感器BSI R65K0-XB-MXS015-S115

測(cè)量原理

基于MEMS的測(cè)量系統(tǒng)

測(cè)量軸

1

測(cè)量范圍

-15...15 °

工作電壓Ub

10...30 VDC

接口

模擬，電流4...20 mA

分辨率

≤ 0.01 °

精度

±0.2 °

接口

插接器，M12x1

外殼材料

塑料

環(huán)境溫度

-40...85 °C

防護(hù)等級(jí)

IP67

許可/*性

CE, cULus

巴魯夫傾斜傳感器

傾斜傳感器是一款可以應(yīng)用于光輻射的光源，使光源產(chǎn)生的一種傳感器。用于光輻射的光源、具有用于使得由光源產(chǎn)生的光輻射通過(guò)的光學(xué)有效圖案的圖案載體、沿著輻射傳播方向設(shè)在該圖案載體下游的傾斜敏感單元、以及用于由光源產(chǎn)生的輻射入射且穿過(guò)所述圖案載體和傾斜敏感單元的透射區(qū)域，其中，所述光源為圖案載體的形式。本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于與現(xiàn)有傾斜計(jì)相比至少減少了一個(gè)組成元件，這使得可以減少制造成本并允許縮短設(shè)計(jì)。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在光束撞擊圖案之前省略了光束的校準(zhǔn)。

憑借兩種不同的測(cè)量原理和各種不同的轉(zhuǎn)角區(qū)域，BALLUFF巴魯夫傾斜傳感器適用于大量行業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域。您可以從帶有一根或兩根測(cè)量軸的傾斜傳感器中進(jìn)行選擇。

重要的優(yōu)勢(shì)

非接觸式

電容式測(cè)量原理

直接測(cè)量?jī)A斜度，無(wú)需昂貴的特殊結(jié)構(gòu)

接口：4-20 mA、0-10 V和Modbus

防護(hù)等級(jí)IP67，適合在惡劣條件下使用

測(cè)量范圍達(dá)360°