9
定制-立方相碳化硅量子點半導體納米球
西安瑞禧生物科技有限公司提供石墨烯、鈣鈦礦、量子點、點擊化學、納米顆粒、金屬卟啉、空穴傳輸材料、納米晶、半導體聚合物、分子材料、過渡金屬配合物、化學試劑、金屬框架、化學等一系列產(chǎn)品。
定制-立方相碳化硅量子點半導體納米球
立方相碳化硅(3C-SiC)具有許多的力,熱,光和電學性能,這使它在溫,大功率,壓,頻等條件下的應用.納米3C-SiC具有多體相所沒有的性能,如藍光發(fā)射和場發(fā)射性能,光催化,氫存儲,彈性模量等,已成為當前半導體納米材料研究的之一。
1.以顆粒尺寸在微米量級的3C-SiC粉末為，通過與硝酸化學腐蝕、聲振蕩，在乙醇中制備出了3C-SiC納米小顆粒。
2.將硅片蓋在裝有硫化鋅(ZnS)和活性碳混合粉末的坩鍋上，在常壓、氬氣保護下，1150℃加熱4小時，在硅片下表面得到的3C-SiC納米球。
3.用一種簡單、的方法，以活性碳、Si和ZnS粉末為，制備了的3C-SiC納米線。這些納米線的直徑為8-60 nm，長度為幾μm。一些納米線的彎曲處，存在非晶區(qū)域，其中包裹有直徑為幾納米、晶化的小晶粒。
4.將Si粉球磨減小尺寸后，與活性碳混合，在常壓下1250℃加熱4小時，制備了針狀與Y形的3C-SiC納米須。同樣的條件下，用未球磨過的Si粉，生成物是直徑、表面光滑程度都不同的3C-SiC納米棒和納米竹節(jié)結構，并伴有一定量的未反應完的Si顆粒。反應中殘留的氧氣在3C-SiC成核與生成過程起關鍵作用。
溫馨提示：西安瑞禧生物科技有限公司供應的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體、開發(fā)、和其他商業(yè)用途，如有購買方或第三方采購我公司的產(chǎn)品用于、開發(fā)或商業(yè)用途，購買方或第三方將承擔法律責任，我公司也將追究其法律責任。以上產(chǎn)品均可定購 YQ2020.09
