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Thorlabs光電探測器,Thorlabs推薦

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更新時間:2016-11-07 07:54:55瀏覽次數(shù):4346

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產(chǎn)品簡介

Thorlabs,納秒上升沿的DET系列探測器,APD探測器,平衡性探測器,探測器帶寬 MHz-9.5GHz;缺陷是高帶寬產(chǎn)品欠缺。

詳細(xì)介紹

Thorlabs 做為世界四大主要光電探測器供應(yīng)商之一,THORLABS光電探測器以質(zhì)優(yōu)價廉取勝,其推出的DET系列光電探測器更是具有超低廉的價格,產(chǎn)品系列較豐富,包含常用納秒上升沿的DET系列探測器,APD探測器,平衡性探測器,探測器帶寬 MHz-9.5GHz;缺陷是高帶寬產(chǎn)品欠缺。

NIST可追溯校準(zhǔn)的Si光電二極管

 

Item #

Wavelength

Active Area

Rise/Fall
Time*

NEP**

Dark Current

Package

Vbias,max

FDS100-CAL

350 - 1100 nm

3.6 x 3.6 mm

10 ns @ 20 V

1.2x10-14 W/Hz1/2

20 nA max (20 V)

Ø0.36" Can

25 V

FDS1010-CAL

400 - 1100 nm

9.7 x 9.7 mm

45 ns @ 5 V

5.5x10-14 W/Hz1/2

0.6 µA max (5 V)

0.45" x 0.52" Ceramic Wafer

20 V

NIST可追溯校準(zhǔn)的Ge光電二極管

 

Item #

Wavelength

Active Area

Rise/Fall Time*

NEP**

Dark Current

Package

Vbias,max

FDG03-CAL

800 - 1800 nm

Ø3 mm

500 ns @ 3 V

1.0x10-12 W/Hz1/2

4.0 µA max (1 V)

Ø0.36" Can

3 V

FDG05-CAL

800 - 1800 nm

Ø5 mm

220 ns @ 5 V

4.0x10-12 W/Hz1/2

40 µA max (3 V)

0.275" x 0.310" Ceramic Wafer

5 V

NIST可追溯校準(zhǔn)的InGaAs光電二極管

 

Item #

Wavelength

Active Area

Rise/Fall Time*

NEP**

Dark Current

Package

Vbias,max

FGA21-CAL

800 - 1700 nm

Ø2 mm

66 ns @ 0 V

3.0x10-14 W/Hz1/2

200 nA max (1 V)

Ø0.36" Can

3 V

SM05螺紋已封裝的光電二極管,陰極接地

 

Item #

Detector

Rise/Fall
Time (ns)

Active Area
(Dimensions)

NEP
(W/Hz1/2)

Dark
Current

Spectral
Range (nm)

Material

Junction
Capacitancea

SM05PD7A

FGAP71

1 / 140b

4.8 mm2 (Ø2.5 mm)

1.3 x 10-14

40 pAc

150 - 550

GaP

1000 pF @ 0 V

SM05PD2A

FDS010

1d

0.785 mm2 (Ø1.0 mm)

5.0 x 10-14

0.3 nA

200 - 1100

Si

7 pF @ 5 V

SM05PD1A

FDS100

10d

13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)

1.2 x 10-14

0.3 nA

350 - 1100

Si

65 pF @ 5 V

SM05PD4A

FGA10

7d

0.8 mm2 (Ø1.0 mm)

2.5 x 10-14

1.1 nAe

800 - 1700

InGaAs

65 pF @ 5 V

SM05PD5A

FGA21

66/ 66f

3.1 mm2 (Ø2.0 mm)

3.0 x 10-14

70 nAc

800 - 1800

InGaAs

180 pF @ 3 V

SM05PD6A

FDG03

500g

7.1 mm2 (Ø3.0 mm)

1.0 x 10-12

4.0 µAc

800 - 1800

Ge

3.25 nF @ 1 V

磷化鎵探測器紫外波長

 

Item #

Active Area

Wavelength
Range

Rise (Fall)
Time

NEP
(W/Hz1/2)

Dark Current

Junction
Capacitance*

DET25K

4.8 mm2
(2.2 x 2.2 mm)

150 - 550 nm

1 ns
(140 ns)

1.6 x 10-14

40 nA

40 pF

硅探測器-可見光波長

 

Item #

Active Area

Wavelength Range

Rise
Time

NEP
(W/Hz1/2)

Dark Current

Junction
Capacitance*

DET10A

0.8 mm2 (Ø1.0 mm)

200 - 1100 nm

1 ns

1.9 x 10-14

0.3 nA (2 nA Max)

6 pF

DET36A

13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)

350 - 1100 nm

14 ns

1.6 x 10-14

0.35 nA (6 nA Max)

40 pF

DET100A

75.4 mm2 (Ø9.8 mm)

400 - 1100 nm

43 ns

5.5 x 10-14

600 nA Max

300 pF

鍺探測器近紅外光波長

 

Item #

Active Area

Wavelength
Range

Rise
Time

NEP
(W/Hz1/2)

Dark Current

Junction
Capacitance*

DET50B

19.6 mm2 (Ø5.0 mm)

800 - 1800 nm

440 ns

4 x 10-14

40 µA

4000 pF (Max)

DET30B

7.1 mm2 (Ø3.0 mm)

800 - 1800 nm

<545 ns

1.0 x 10-12

0.8 µA
(1.0 µA Max)

4000 pF (Max)

高速光纖探測器

 

Item #

Wavelength

Detector

Bandwidth

Max Peak Power

Rise Time

Fall Time

DET02AFC

400 - 1100 nm

Si

1.2 GHz

18 mW

50 ps

250 ps

SV2-FC

320 - 1100 nm

Si

2 GHz

200 mW

175 ps

<150 ps

DET01CFC

900 - 1700 nm

InGaAs

1.2 GHz

-

<1 ns*

<1 ns*

SIR5-FC

900 - 1650 nm

InGaAs

5 GHz

20 mW

<70 ps

<70 ps

Thorlabs提供一系列自由空間型和光纖耦合型放大探測器。此外,光纖轉(zhuǎn)接件可用于本公司的自由空間探測器,以獲得更多的功能和靈活性。

 

高靈敏度雪崩光電探測器

 

Item #

APD110C

APD310

Detector Type

InGaAs APD

Wavelength Range

900 - 1700 nm

850 - 1650 nm

Active Detector Diameter

0.2 mm

0.03 mm

Transimpedance Gain

100 kV/A
50 kV/A with 50 Ω Termination

-

Max Conversion Gain

0.9 x 106 V/W

2.5 x 104 V/W
@ 1 GHz, 1500 nm

Output Bandwidth (3 dB)

DC - 50 MHz

1 - 1800 MHz

Minimum NEP

0.46 pW/√Hz

0.4 pW/√Hz

 

Item #

PDA50B

PDA30B

 

 

Element Photo

Ge

Ge

Wavelength Range

800 - 1800 nm

800 - 1800 nm

Detector Size

Ø5.0 mm

Ø3.0 mm

Gain

8 x 10 dB Steps

8 x 10 dB Steps

Bandwidth Range

DC - 400 kHz

DC - 460 kHz

NEP (W/Hz1/2)

5.7x10-12 - 1.4x10-10

1.95x10-12 - 4.44x10-11

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