晶圓片級(jí)封裝等離子體處理在晶圓級(jí)封裝中的先進(jìn)應(yīng)用日益增多，由于半導(dǎo)體器件制造商進(jìn)一步縮小尺寸，提高封裝器件的可靠性，等離子處理機(jī)在更高層次的晶圓級(jí)封裝中得到了越來越多的應(yīng)用。晶圓片等離子清洗機(jī)可以處理多種尺寸的晶片，大容量，自動(dòng)化處理。

片狀清洗等離子清洗機(jī)用于消除晶圓級(jí)設(shè)備制造或上游組裝過程中所產(chǎn)生的污染物。不管是哪種情況，清潔產(chǎn)品以去除氟，氧化物或是金屬的污染，都會(huì)大大提高集成電路的產(chǎn)量，可靠性和性能。
 脫渣為光刻膠殘留量有時(shí)仍在發(fā)展、處理。等離子體處理在進(jìn)一步處理之前，少量抗蝕劑在晶片的整個(gè)表面上被均勻地去除。晶圓片等離子清洗機(jī)等離子體處理可用于成批剝離，材料包括光致抗蝕劑，氧化物，氮化物蝕刻，電介質(zhì)。蝕刻率均勻度大于97%，每分鐘1微米可實(shí)現(xiàn)。剝離與蝕刻工藝可用于圓片級(jí)封裝，MEMS制造及磁盤驅(qū)動(dòng)器處理。硅片前處理等離子處理機(jī)去除污染物和氧化，提高粘接率和可靠性。此外，等離子清洗機(jī)還為微粗糙改善晶片鈍化層之間的粘附。
        在UBM中，BCB與UBM的粘附等離子體處理改變晶片的鈍化層的形態(tài)和潤(rùn)濕作用。高分子材料，例如苯并環(huán)丁烯(BCB)和UBM，在晶片的介電層中重新分布。等離子體清洗機(jī)處理使硅片初始鈍化層形態(tài)發(fā)生變化，潤(rùn)濕性增強(qiáng)。介質(zhì)圖案形成再分配層的典型方法包括采用典型光刻方法對(duì)介質(zhì)再分配材料進(jìn)行圖案化。晶圓片等離子清洗機(jī)等離子體清洗是介質(zhì)圖案化的可行替代方法，并可避免傳統(tǒng)的濕法處理。
        利用WLP小孔的清理，將晶片組成在堆疊芯片上，常會(huì)產(chǎn)生殘余的產(chǎn)物，通過形成過程。通等離子體過優(yōu)化結(jié)構(gòu)，可以在不損傷晶片表面的情況下處理通孔。壓凹等離子清洗可改善壓凹粘連，提高壓凹剪切強(qiáng)度。通過改善晶片表面的凹凸粘連，等離子清洗機(jī)可以顯著提高凹凸剪切強(qiáng)度，凸模材料包括焊料和金釘?shù)牟煌煞帧?/span>