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實(shí)驗(yàn)室高純鍺HPGe伽馬γ能譜儀 詳細(xì)摘要： 實(shí)驗(yàn)室高純鍺HPGe伽馬γ能譜儀高純鍺伽馬能譜儀通常由：高純鍺探測(cè)器，譜儀，制冷器，鉛室，軟件等五部分組成。
產(chǎn)品型號(hào)：GEM，GMX 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
高純鍺HPGe伽馬γ能譜儀 詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體（高純鍺和Si（Li））探測(cè)器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測(cè)量技術(shù)與產(chǎn)品，不僅是核結(jié)構(gòu)、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應(yīng)研究的重要工具
產(chǎn)品型號(hào)：GEM-S7030 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
精密脈沖發(fā)生器 詳細(xì)摘要： 精密脈沖發(fā)生器輸出脈沖幅度0-±1V可調(diào)，上升時(shí)間前面板選擇，下降時(shí)間常數(shù)（指數(shù)衰減時(shí)間）200µs或400µs溫度穩(wěn)定性：≤&#...
產(chǎn)品型號(hào)：419 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
多道分析儀 詳細(xì)摘要： 多道分析儀?獨(dú)立結(jié)構(gòu)具有GATE, BUSY , PUR輸入ADC死時(shí)間（包括內(nèi)存轉(zhuǎn)換時(shí)間）2µs微分非線性：≤±1%積分非線性：≤...
產(chǎn)品型號(hào)：EASY-MCA-2K 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
雙端口多道存儲(chǔ)器 詳細(xì)摘要： 雙端口多道存儲(chǔ)器大分辨率：8192道，軟件選擇 8192, 4096, 2048, 1024或512道每事件死時(shí)間（包括內(nèi)存轉(zhuǎn)換時(shí)間）8µs微分非線性...
產(chǎn)品型號(hào)：ASPEC-927 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
NIM機(jī)箱160W電源 詳細(xì)摘要： NIM機(jī)箱160W電源輸出電源/大電流 ±12V/2A，±24V/1A，117VAC/0.4A短路和過(guò)載保護(hù)輸出阻抗：0.3?（頻率100k...
產(chǎn)品型號(hào)：ORTEC4001A/4002A 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
0RTEC556電源高壓 詳細(xì)摘要： 0RTEC556電源高壓? 探測(cè)器偏壓電源，用于鍺或硅探測(cè)器輸出電壓：0-±5kV0-±500V（雙路輸出） 電流0-100µA輸...
產(chǎn)品型號(hào)：142IH 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
高純鍺HPGe晶體 詳細(xì)摘要： 高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)：¥ 100001 在線留言 -
電荷靈敏放大器 詳細(xì)摘要： 電荷靈敏放大器出：能量信號(hào)E口和定時(shí)信號(hào)T口噪聲探測(cè)器電容pF 典型值 保證值0 295rms 電子340rms 電子100450rms 電子
產(chǎn)品型號(hào)：142IH 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
核電子學(xué)NIM機(jī)箱/電源插件 詳細(xì)摘要： 核電子學(xué)NIM機(jī)箱/電源插件 NIM機(jī)箱/96W電源（±12V, ±24V）輸出電源/大電流 ±12V/2A，±24V/...
產(chǎn)品型號(hào)：4001A/4002D 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
前放 詳細(xì)摘要： 前放 儀器主要包括：前置放大器、放大器、時(shí)間校準(zhǔn)、單道脈沖分析器、計(jì)數(shù)/計(jì)時(shí)器和率表、延遲發(fā)生器、邏輯模塊和線性門、快速時(shí)間鑒別器、CAMAC ADC、高壓偏置...
產(chǎn)品型號(hào)：142A,142B,142C 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
PMT前置放大器 詳細(xì)摘要： PMT前置放大器 儀器主要包括：前置放大器、放大器、時(shí)間校準(zhǔn)、單道脈沖分析器、計(jì)數(shù)/計(jì)時(shí)器和率表、延遲發(fā)生器、邏輯模塊和線性門、快速時(shí)間鑒別器、CAMAC AD...
產(chǎn)品型號(hào)：113 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
高純鍺HPGe伽馬γ能譜儀 詳細(xì)摘要： 高純鍺HPGe伽馬γ能譜儀高純鍺伽馬能譜儀通常由：高純鍺探測(cè)器，譜儀，制冷器，鉛室，軟件等五部分組成。
產(chǎn)品型號(hào)：GEM 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
ORTEC四路低本底α/β計(jì)數(shù)器 詳細(xì)摘要： ORTEC四路低本底α/β計(jì)數(shù)器低本底α/β檢測(cè)儀是一種測(cè)量低水平α、β放射性強(qiáng)度的精密儀器?？捎糜谒⑹称?、土壤、建材、礦石、氣溶膠、沉積物等樣品的總α、總β...
產(chǎn)品型號(hào)：MPC-9604 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
ORTEC單路八路alpha譜儀 詳細(xì)摘要： ORTEC在alpha譜儀上采用超低本底和PIPS工藝（表面鈍化、離子注入、可擦洗）硅探測(cè)器，同時(shí)真空艙室也為超低本底材料。面積上提供300、450、490、6...
產(chǎn)品型號(hào)：ALPHA-ENSEMBLE-4 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
GMX40-76-LB高純鍺（HPGe）伽馬γ能譜儀 詳細(xì)摘要： GMX40-76-LB高純鍺（HPGe）伽馬γ能譜儀半導(dǎo)體（高純鍺和Si（Li））探測(cè)器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測(cè)量技術(shù)與產(chǎn)品，不僅是核結(jié)...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
全自動(dòng)低本底多道γ能譜儀 詳細(xì)摘要： 全自動(dòng)低本底多道γ能譜儀RT-50，實(shí)驗(yàn)室伽瑪射線能譜分析儀是專門設(shè)計(jì)用于監(jiān)測(cè)和檢測(cè)各種金屬材料、建筑材料、金屬制品、地質(zhì)樣品、環(huán)境采樣樣品及食品中可能存在的放...
產(chǎn)品型號(hào)：RT-50 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)：¥ 660000 在線留言 -
GEM50-83-LB-C高純鍺（HPGe）伽馬γ能譜儀 詳細(xì)摘要： GEM50-83-LB-C高純鍺（HPGe）伽馬γ能譜儀半導(dǎo)體（高純鍺和Si（Li））探測(cè)器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測(cè)量技術(shù)與產(chǎn)品，不僅是...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
GEM60P4-83-HE高純鍺探測(cè)器 詳細(xì)摘要： GEM60P4-83-HE高純鍺探測(cè)器半導(dǎo)體（高純鍺和Si（Li））探測(cè)器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測(cè)量技術(shù)與產(chǎn)品，不僅是核結(jié)構(gòu)、分子物理、...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言 -
GEM50P4-83-RB高純鍺（HPGe）伽馬γ能譜儀 詳細(xì)摘要： GEM50P4-83-RB高純鍺（HPGe）伽馬γ能譜儀半導(dǎo)體（高純鍺和Si（Li））探測(cè)器擁有精銳的能量分辨率，由其組成的γ和X射線能譜測(cè)量技術(shù)與產(chǎn)品，不僅是...
產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2024-01-03 參考價(jià)： 面議 在線留言