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PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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  • PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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更新時(shí)間:2024-01-03 10:29:40瀏覽次數(shù):1201

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,電子    
PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

PILATUS3 X 混合光子計(jì)數(shù)(HPC)探測(cè)器經(jīng)過(guò)重新設(shè)計(jì),該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù),并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù):?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 X系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的*優(yōu)勢(shì)。

詳細(xì)介紹

PILATUS3 X 面陣混合光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

 

1、產(chǎn)品特點(diǎn)

      PILATUS3 混合像素探測(cè)器可以為要求苛刻的同步輻射應(yīng)用提供更好的探測(cè)表現(xiàn)。在新一代產(chǎn)品中,PILATUS系列X射線探測(cè)器已經(jīng)達(dá)到了好的水平成熟度和穩(wěn)定性。改進(jìn)的PILATUS3系列探測(cè)器采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)讀出集成電路(ASIC)即時(shí)再觸發(fā)技術(shù),其可以避免癱瘓性誤計(jì)數(shù),同時(shí)其可以增強(qiáng)高計(jì)數(shù)率情況下的表現(xiàn),減少讀出時(shí)間,并獲得更準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)率。PILATUS3即時(shí)再觸發(fā)技術(shù)客服了以前的光子計(jì)數(shù)探測(cè)器固有的計(jì)數(shù)率低的限制。PILATUS3系列光子計(jì)數(shù)探測(cè)器是我們一直以來(lái)不斷完善單光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的努力結(jié)晶。的數(shù)據(jù)質(zhì)量和快速的數(shù)據(jù)采集是PILATUS探測(cè)器系統(tǒng)的主要優(yōu)點(diǎn)。的數(shù)據(jù)質(zhì)量是通過(guò)各種*的特征來(lái)實(shí)現(xiàn)的:不存在讀出噪聲和暗電流,尖銳的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù),并且高達(dá)20比特(~100萬(wàn)個(gè)計(jì)數(shù))的高動(dòng)態(tài)范圍和計(jì)數(shù)器深度。目前先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路(ASIC)和讀出電子學(xué)設(shè)計(jì)能夠保證快速的數(shù)據(jù)獲取。PILATUS3現(xiàn)在的標(biāo)準(zhǔn)配置為450微米的硅傳感器,以此提高量子效率。所有PILATUS3 M系統(tǒng)出了包括探測(cè)服務(wù)器之外,還包含一臺(tái)計(jì)算機(jī),以此確保高速率穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集而不需要用戶(hù)額外增加計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。

 

2、核心優(yōu)勢(shì)

    –計(jì)數(shù)率高達(dá)每像素每秒1千萬(wàn)計(jì)數(shù)

    –幀速率高達(dá)50Hz,即每秒鐘可以采集500張圖像

    –讀出時(shí)間僅為0.95毫秒

    –單光子計(jì)數(shù)模式中的直接探測(cè)X射線

    –無(wú)讀出噪聲

    –無(wú)暗電流

    –20位無(wú)溢出計(jì)數(shù)器 

 

3、應(yīng)用領(lǐng)域PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

    –生物大分子晶體學(xué)(MX)

    –單晶衍射(SCD)

    –表面衍射

    –連貫的X射線成像

    –時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn)

    –小角散射與廣角散射(SAXS/WAXS)

    –X射線衍射(XRPD)

 

4、技術(shù)參數(shù)PILATUS3 X 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

 

PILATUS3 X

100K-A

200K-A

300K

300K-W

1M

2M

6M

探測(cè)器模塊數(shù)量

1 × 1

1 × 2

1 x 3

3 x 1

2 x 5

3 x 8

5 x 12

有效面積:寬× [mm²]

83.8 × 33.5

83.8 × 70.0

83.8 x 106.5

253.7 × 33.5

168.7 × 179.4

253.7 × 288.8

423.6 x 434.6

像素大小 [μm²]

172×172

總像素?cái)?shù)量,水平x垂直

487 × 195

487 × 407

487 × 619

1475 × 195

981 × 1043

1475 × 1679

2463 x 2527

間隙寬度, 水平/垂直(像素)

0

- / 17

- / 17

7 / -

7/17

7/17

7/17

非靈敏區(qū) [ % ]

0

4.3

5.5

0.9

7.2

8.0

8.5

缺陷像素

< 0.03%

幀頻,滿(mǎn)幀 [Hz]

500

500

500

500

500

250

100

幀頻,ROI [Hz]

-

-

-

-

500

500

500

讀出時(shí)間 [ms]

0.95

點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

1 pixelFWHM

閾值能量 [keV]

3.5 - 18

3.5 - 18

2.7 - 18

2.7 - 18

2.7 - 18

2.7 - 18

2.7 - 18

計(jì)數(shù)器深度

20 bits1,048,576 counts

功耗[W]

30

30

36

36

165

250

580

尺寸(WHD[mm³]

156x115x284

156x155x284

158x193x262

280x62x296

265x286x455

384x424x456

590x603x455

重量 [kg]

4.5

5.4

7.5

7.0

25

46

92

模塊冷卻

風(fēng)冷

風(fēng)冷

水冷

水冷

水冷

水冷

水冷

電子冷卻

風(fēng)冷

風(fēng)冷

水冷

水冷

風(fēng)冷

風(fēng)冷

風(fēng)冷

標(biāo)準(zhǔn)配置

450微米 硅傳感器

探測(cè)器,探測(cè)器服務(wù)器

探測(cè)器,探測(cè)器服務(wù)器

探測(cè)器,探測(cè)器服務(wù)器,水冷裝置

探測(cè)器,探測(cè)器服務(wù)器,水冷裝置,迷你PPU

探測(cè)器選項(xiàng)

1000微米 硅傳感器

迷你PPU,

     L or XL

迷你PPU,

      L or XL

迷你PPU,     

     L or XL

迷你PPU,     L or XL

PPU L or XL

PPU L or XL

PPU L or XL

真空兼容320微米硅傳感器

 

 

 

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