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8inch英寸鍺片
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  • 8inch英寸鍺片

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貨物所在地: 北京北京市
產(chǎn)地: 美國
更新時(shí)間: 2025-01-21 14:18:21
期: 2025年1月21日--2025年7月24日
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(聯(lián)系我們,請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝?。?/p>

產(chǎn)品簡介

8inch英寸鍺片
該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。

詳細(xì)介紹

8inch英寸鍺片


1、晶體習(xí)性與幾何描述:

   該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。當(dāng)一個(gè)晶體屬于原生態(tài)晶體時(shí),其當(dāng)量直徑為:

   1.png                  


  D ----外形尺寸當(dāng)量直徑

  W----鍺晶體重量

  L-----晶體長度

  測量值是四舍五入小可達(dá)到毫米級(jí)別。為了便于訂單出貨,我們會(huì)依據(jù)晶體的體積、直徑和長度進(jìn)行分類。同時(shí)我們可以滿足客戶的特殊需求,提供定制服務(wù)。


      2、純度:殘留載荷

    大允許凈載流子雜質(zhì)濃度與探頭二極管的幾個(gè)構(gòu)造有關(guān),請參照如列公式。其純度依據(jù)據(jù)霍爾效應(yīng)測量和計(jì)算。

        同軸探測器:同軸探測器適用于下列公式:

     689EC8D3C7F3A38B566C34EB2986D508.png

         Nmax = 每立方厘米大雜質(zhì)含量

        VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

              εo = 介電常數(shù) = 8,85 10-14 F/cm

              εr = 相對(duì)介電常數(shù)(Ge) = 16

         q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)

         r1 = 探測器內(nèi)孔半徑

           r2 = 探測器外孔半徑

8inch英寸鍺片


      3、純度              

         假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕,內(nèi)徑8毫米的內(nèi)孔半徑, 適用公式變?yōu)椋?           

       

     3.png

     

        D = 晶體外表面            


         平面探測器:平面探測器(厚度小于2厘米)適用于以下公式:

       4.png

          d=探測器外觀尺寸厚度

          徑向分散載荷子(值)

          遷移:霍爾遷移

      性能: P 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s

         N 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s

      能級(jí): P 型晶體  通過深能瞬態(tài)測量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3

      N 型晶體  通過深能瞬態(tài)測量點(diǎn)缺陷 < < 5*108 cm-3

           晶體主要指標(biāo):                               P 型晶體               N 型晶體    

                                          錯(cuò)位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                          星型結(jié)構(gòu)             ≤ 3                       ≤ 3              

                                          鑲嵌結(jié)構(gòu)              ≤ 5                       ≤ 5            

   電阻率             0.02-0.04 ohm.cm

      4、說明  

高純鍺晶體


產(chǎn)地

法國

物理性質(zhì)

顏色

銀灰色

屬性

半導(dǎo)體材料

密度

5.32g/cm3

熔點(diǎn)

937.2

沸點(diǎn)

2830

技術(shù)指標(biāo)

材料均勻度

特級(jí)

光潔度

特優(yōu)

純度

99.999 999 99%-99.999 999 999 99%(10 N-13N)

制備方式

鍺單晶是以區(qū)熔鍺錠原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制備的鍺單晶體。

產(chǎn)品規(guī)格

P、N型按客戶要求定制

產(chǎn)品用途

超高純度,紅外器件、γ輻射探測器

P型N型高純鍺

在高純金屬鍺中摻入三價(jià)元素如、、等,得到p型鍺;

在高純金屬鍺中摻入五價(jià)元素如銻、砷、磷等,得到n型鍺。


提供各種規(guī)格鍺片(鍺襯底),包含8英寸及以上的規(guī)格



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