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北京泰坤工業(yè)設(shè)備有限公司 |
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EIGER2 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
1、產(chǎn)品特點(diǎn)：
EIGER2 R CdTe 1M X 射線探測(cè)器將混合像素光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的新發(fā)展和碲化鎘感光像素的高量子效率集合在一起。對(duì)于使用高能量 X 射線源或需要雙閾值設(shè)置時(shí)， EIGER2 R CdTe 1M 是好的選擇。
DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使他們具有高計(jì)數(shù)率能力，可以更好地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室X射線源 所能達(dá)到的高強(qiáng)度。DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)的技術(shù)使 EIGER2 R CdTe 1M 探測(cè)器具有好的高計(jì) 數(shù)率能力，可以更快速地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室 X 射線光源所能達(dá)到的高強(qiáng)度。EIGER2 R CdTe 1M 探測(cè)器具有兩個(gè)能 量閾值，所以與上一代探測(cè)器相比，它在環(huán)境背景下?lián)碛懈偷陌惦娏骱捅尘霸胍?。這大大提高了弱信號(hào)和長(zhǎng) 時(shí)間曝光的信噪比，使得它在更短的測(cè)量時(shí)間下就能獲得更好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。單光子計(jì)數(shù)與計(jì)數(shù)器連續(xù)讀/寫(xiě)技術(shù) 相結(jié)合，克服了傳統(tǒng)積分探測(cè)器容易飽和以及動(dòng)態(tài)范圍有限的問(wèn)題。此外，感光像素直接將X射線轉(zhuǎn)化為電信號(hào) 配合小到 75μm 的像素尺寸使得探測(cè)器具有更高的空間和角度分辨率。
2、核心優(yōu)勢(shì)：
– 高的量子效率、更短的測(cè)試時(shí)間和更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)
– 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使得計(jì)數(shù)率大幅度提高
– 雙能閾值，可用于低背景和高背景的抑制
– 無(wú)讀出噪音和暗電流，確保了好的信噪比
– 計(jì)數(shù)器具有同時(shí)讀/寫(xiě)功能，確保了高動(dòng)態(tài)范圍和無(wú)飽和的圖像
3、應(yīng)用領(lǐng)域：
- 大分子晶體學(xué)（MX）；
- 化學(xué)結(jié)晶學(xué)；
- 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/WAXS）；
- μCT；
- 其它；
4、技術(shù)參數(shù)：
EIGER2 R CdTe | 500K | 1M | 4M |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 1 | 1 x 2 | 2 x 4 |
有效面積：寬x高 [mm2] | 77.1 x 38.4 | 77.1 x 79.7 | 155.1 X 162.2 |
像素大小 [μm2] | 75 x 75 | ||
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel | ||
能量閾值 | 2 | ||
能量范圍[KeV] | 8-24.2 | ||
閾值范圍[KeV] | 4-30 | ||
大計(jì)數(shù)率（cps/mm2） | 9.8×108 | ||
計(jì)數(shù)器深度（bit/threshold） | 2×16 | ||
采集模式 | 同時(shí)讀/寫(xiě)，死區(qū)時(shí)間為零 | ||
圖像位深度（bit） | 32 | ||
可選真空兼容 | Yes | ||
冷卻方式 | 水冷 | ||
尺寸（WHD）[mm3] | 114 x 92 x 242 | 114 x 133 x 242 | 235 x 237 x 372 |
重量 [kg] | 3.7 | 3.9 | 15 |
EIGER2 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
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