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產(chǎn)品簡介
ORTEC帶電粒子硅探測器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，其耗盡層厚度從10微米到幾個毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又有諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測器，除應(yīng)用本身外，在探測器上應(yīng)從耗盡層厚度、結(jié)電容、漏電流、電子噪聲、能量分辨率等性能指標上綜合權(quán)衡
詳細介紹
帶電粒子探測器
1 帶電粒子的測量與探測器的基本類型
。
用于alpha能譜測量的ULTRA和ULTRA-AS探測器采用了表面鈍化和離子注入工藝（即PIPS探測器），該工藝的探測器有諸多優(yōu)點：接觸極更薄，更堅固；低噪聲，對Alpha能譜分辨率好；使用邊緣鈍化技術(shù)，可以使樣品離探測器入射窗小到1毫米。而一般的面壘型探測器zui小只能達到2.5毫米。所以該類型探測器的效率要更高；常溫使用，探測器窗可擦拭。
Ultra-AS針對Ultra的區(qū)別或改進是采用了進一步低本底的材料，以專適于在ORTEC Alpha Suite譜儀。
ULTRA-CAM系列則是針對氣溶膠連續(xù)監(jiān)測設(shè)計，探測器具有特殊密閉和抗潮性能。
Beta能譜測量的難處在于常溫狀態(tài)下由硅探測器很難獲得良好的分辨率。ORTEC提供以下兩種解決方案：1，Beta-X Si（Li）一體化探測器（包含探頭，冷指前放）；2，A和L系列可制冷的厚硅探測器。
帶電粒子探測器在核物理實驗中的應(yīng)用有諸多方面，ORTEC在其探測器類型上都有相應(yīng)的側(cè)重。比如重離子由于其高度電離和短徑跡特性，需要探測器在前接觸級具有強電場，適用的F系列探測器在前接觸級的場強為20,000V/cm。而對帶電粒子的時間譜測量，需要用ULTRA系列或能承受超電壓的強場局部耗盡探測器。
ULTRA與ULTRA-AS系列離子注入硅探測器
A系列局部耗盡金硅面壘探測器
B系列全耗盡金硅面壘探測器
C系列環(huán)形局部耗盡金硅面壘探測器
D系列平面全耗盡金硅面壘探測器
F系列局部耗盡重離子金硅面壘探測器
L系列鋰漂移硅（室溫）探測器
需要提供以上探測器詳細參數(shù)請致電我公司