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詳細(xì)摘要：本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí)，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：北廣儀器保證提供的設(shè)備為需方的全新設(shè)備，其各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均符合相關(guān)的產(chǎn)品技術(shù)要求。 2、設(shè)備經(jīng)客戶驗(yàn)收合格后，開(kāi)始計(jì)算保修期，設(shè)備免費(fèi)保修期為壹年，設(shè)備在質(zhì)量保質(zhì)期內(nèi)，產(chǎn)品在非人為損壞的情況下，由北廣儀器負(fù)責(zé)全保。北廣儀器的客服在得到通知后24小時(shí)內(nèi)響應(yīng)，安排約定維修細(xì)節(jié)。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣介電常數(shù)測(cè)試儀性能： 固體絕緣材料測(cè)試頻率100kHz～100MHz的tan δ 和 ε 變化的測(cè)試。 tan δ 和 ε 測(cè)量范圍：tan δ：0.1～0.00001，ε：1～50 tan δ 和ε 測(cè)量精度（1MHz）：tan δ：±5%±0.00005，ε：±2% 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測(cè)量?jī)x工頻 BQS-37a型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時(shí)，與R4橋臂并聯(lián)，測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過(guò)輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對(duì)電橋平衡的影響。 產(chǎn)品型號(hào)：BQS-37A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：工作特性 1．Q值測(cè)量 a．Q值測(cè)量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔； c．標(biāo)稱誤差 AC 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。 ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。 ◎ Q值量程自 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：2 使用條件 ①環(huán)境溫度： 0～40℃ ②相對(duì)溫度：≤70% ③供電電流：交流 220V±10%50Hz 2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時(shí) 2.4 消耗功率：約 10W 2.5 外形尺寸：長(zhǎng)寬深 355mm×320mm×145mm 2.6 重量：約 6kg(主機(jī)) 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測(cè)試儀型號(hào)：GDAT-A主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國(guó)際西6號(hào)樓4層0426 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-a所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀/介電常數(shù)測(cè)試儀 滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-c所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：廣東介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗是用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能. 它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京北廣精儀 參考價(jià)：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品：絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀
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