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介電常數(shù)測試儀(正品)
詳細(xì)摘要:基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
絕緣材料介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)測試儀是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
數(shù)顯介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測試。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介電常數(shù)     介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)測試儀符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介損儀/介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:本公司創(chuàng)新的自動Q值讀取技術(shù),使測Q分辨率至0.1Q。
DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz,測試信號。
低至20nH殘余電感,保證高頻時直讀Q值的誤差較小。
特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
Q值量程自動/手動量程控制。
數(shù)字化Q值預(yù)置,能提高批量測試的可靠性和速度。
產(chǎn)品型號:所在地: 參考價:面議
北廣牌介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)測試儀
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
常用的介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測試。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介電常數(shù)測試儀/測量介電常數(shù)
詳細(xì)摘要:c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。
產(chǎn)品型號:所在地:介電常數(shù)測試儀 參考價:面議
介電常數(shù)測試儀GB/T 1409-2006
詳細(xì)摘要:c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測試。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介電常數(shù)測試儀價格
詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測試儀
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介電常數(shù)測試儀國產(chǎn)價格
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號:GDAT-C所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
160MHZ介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ,無須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
C類介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
北京 介電常數(shù)測試儀生產(chǎn)商
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
材料的介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
介質(zhì)損耗測量儀
詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗測量儀空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
產(chǎn)品型號:GDAT-A所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
標(biāo)配介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀
詳細(xì)摘要:空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議
原廠介電常數(shù)測試儀
詳細(xì)摘要:本臺儀器可測試固體材料、液體材料,高頻介電常數(shù),低頻介電常數(shù),工頻介電常數(shù),如果您想了解更多請咨詢。謝謝
產(chǎn)品型號:所在地:北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價:面議
介電常數(shù)測量儀
詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的
物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗
和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,
并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。
產(chǎn)品型號:gdat-c所在地:北京市海淀區(qū) 參考價:面議

北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營產(chǎn)品:絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀 化工儀器網(wǎng) 設(shè)計(jì)制作,未經(jīng)允許翻錄必究.Copyright(C) http://www.hbwxwy.cn, All rights reserved.

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