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BDAT-a低頻介電常數(shù)測試儀

BDAT-a低頻介電常數(shù)測試儀
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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

更新時(shí)間:2024-08-12 12:33:52瀏覽次數(shù):1372

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產(chǎn)品簡介
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

三.儀器技術(shù)指標(biāo):
☆Q值測量:
a.Q值測量范圍:2~1023。              b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱誤差
      頻率范圍:20kHz~10MHz;       固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
      頻率范圍:10MHz~60MHz;      固有誤差:≤6%±滿度值的2%;工作誤差:≤8%±滿度值的2%。
☆電感測量:
a.測量范圍:14.5nH~8.14H。
b.分    檔:分七個(gè)量程。
      0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,  
      0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。
☆電容測量:
a.測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則);
b.電容量調(diào)節(jié)范圍
      主調(diào)電容器:30~500pF;                準(zhǔn)  確  度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
      注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
☆振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:10kHz~50MHz;
b.頻率分段(虛擬)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
c.頻率誤差:3×10-5±1個(gè)字。
☆Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~1000。
☆儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;            b.相對濕度:<80%;           c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。   
☆其他
a.消耗功率:約25W;            b.凈重:約7kg;          c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
☆ Q合格指示預(yù)置功能
預(yù)置范圍:5~1000。

一.主要特點(diǎn):
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 

二.主要技術(shù)特性:
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

 


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