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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試>> GDAT-A塑料薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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塑料薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

塑料薄膜介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) GDAT-A
  • 品牌
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

更新時(shí)間:2024-08-13 17:13:20瀏覽次數(shù):1704

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
.Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:5~1000
6.Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對(duì)濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線(xiàn)性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀實(shí)驗(yàn)原理:

介電體(又稱(chēng)電介質(zhì))zui基本的物理性質(zhì)是它的介電性,對(duì)介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義,而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一,探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料,對(duì)電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)(又稱(chēng)電容率)是反映材料特性的重要參量,電介質(zhì)極化能力越強(qiáng),其介電常數(shù)就越大。測(cè)量介電常數(shù)的方法很多,常用的有比較法,替代法,電橋法,諧振法,Q表法,直流測(cè)量法和微波測(cè)量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍,因而要根據(jù)材料的性能,樣品的形狀和尺寸大小及所需測(cè)量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)量方法。

介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般采用相對(duì)介電常數(shù)E來(lái)表示,通常采用測(cè)量樣品的電容量,經(jīng)過(guò)計(jì)算求出,它們滿(mǎn)足如下關(guān)系:

 

 

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:51000

   6Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度:0+40

  b.相對(duì)濕度:<80%;

  c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

   7.其他

  a.消耗功率:約25W

   b.凈重:約7kg;

   c.外型尺寸:(寬××深)mm380×132×280


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