介電常數(shù)測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置，標準介質樣品組成，能對絕緣材料進行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。 介電常數(shù)測試儀工作頻率范圍是20kHz～60MHz,它能完成工作頻率內對絕緣材料的相對介電常數(shù)(ε)和介質損耗角 (D或tanδ)變化的測試。 系列中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過公式計算得到。

1 特點：

◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復性。

◎ 介電常數(shù)測量范圍可達1～10⁵

2 主要技術指標：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測試。

2.1.2 ε和D測量范圍：ε：1～10⁵，D：0.1～0.00005，

2.1.3 ε和D測量精度（10kHz）：ε：±2% ，  D：±5%±0.0001。

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

儀器滿足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質損耗因數(shù)。

GDAT的全數(shù)字化界面和微機控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ，無須關注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無疑是電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。

介質損耗測試系統(tǒng)主要性能參數(shù)

BH916測試裝置：                                   

平板電容極片 Φ50mm                                 

間距可調范圍≥15mm                                

夾具插頭間距25mm±0.01mm                         

測微桿分辨率0.001mm                               

夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)                   

GDAT高頻Q表：

可選頻率范圍20KHz-60MHz

頻率指示誤差3×10-5±1個字

主電容調節(jié)范圍30-500

主調電容誤差<1%或1pF

 Q測試范圍2～1023

介電常數(shù)介質損耗測試儀電感器：

按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。

高頻介質樣品（選購件）：
在現(xiàn)行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。

該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。

 介電常數(shù)介質損耗測試儀特點： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)和介質損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。

同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計算得到介電常數(shù)。

介電常數(shù)介質損耗測試儀主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

 介電常數(shù)介質損耗測試儀裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4