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四探針方阻電阻率測試儀(北京供應商)
參考價 | 面議 |
- 型號
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- 所在地 北京市
更新時間:2024-08-14 15:51:59瀏覽次數(shù):2533
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2.電阻率范圍:10-3~2×104Ω-cm
3.測試電流范圍:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA
4.電流精度:±0.3%讀數(shù)
5.電阻精度:≤0.5%
6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率
7.測試方式: 普通單電測量
四探針方阻電阻率測試儀(北京供應商)廣泛用于:
覆蓋膜;
導電高分子膜,
高、低溫電熱膜;
隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、
裝飾膜、裝飾紙;
金屬化標簽、合金類箔膜;
熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;
電極涂料,
其他半導體材料、
薄膜材料方阻測試
硅晶塊、
晶片電阻率及擴散層、
外延層、
ITO導電箔膜、
導電橡膠等材料方塊電阻
半導體材料/晶圓、
太陽能電池、
電子元器件,
導電薄膜(ITO導電膜玻璃等),
金屬膜,
導電漆膜,
蒸發(fā)鋁膜,
PCB銅箔膜,
EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率
導電性油漆,
導電性糊狀物,
導電性塑料,
導電性橡膠,
導電性薄膜,
金屬薄膜,
抗靜電材料,
EMI 防護材料,
導電性纖維,
導電性陶瓷等
四探針方阻電阻率測試儀(北京供應商)適用標準:
按照硅片電阻率測量的標準(ASTM F84)
國家標準設(shè)計制造該儀器設(shè)計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、
GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、
GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》
并參考美國 A.S.T.M 標準,本機配置232電腦接口及USB兩種接口,本機結(jié)合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結(jié)果的影響及誤差,比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測量,更加準確.
本儀器本儀器采用四探針單電測量法適用于:
生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,
是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
儀器特點:
配置各類測量裝置可以測試不同材料。
液晶顯示,無需人工計算,并帶有溫度補償功能,電阻率單位自動選擇,儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復設(shè)置。
采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便,運輸安全、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成報表;
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.
參數(shù)資料
1.方塊電阻范圍:10-2~2×103Ω/□
2.電阻率范圍:10-3~2×104Ω-cm
3.測試電流范圍:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA
4.電流精度:±0.3%讀數(shù)
5.電阻精度:≤0.5%
6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率
7.測試方式: 普通單電測量
8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W
9.整機不確定性誤差: ≤4%(標準樣片結(jié)果)
10.選購功能: 選購1.pc軟件; 選購2.方形探頭; 選購3.直線形探頭; 選購4.測試平臺
11.測試探頭: 探針間距選購:1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購:碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針
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